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-->日本語English教員活動データベース-->全体研究者氏名著者名検索 -->詳細氏　名嘉数　誠フリガナカスウ マコト欧文氏名KASU Makoto所　属理工学部 理工学科 電気電子工学部門職　名教授学位博士　（工学）（1992年05月）電子メールkasucc.saga-u.ac.jpリンクティーチングポートフォリオホームページhttp://www.ee.saga-u.ac.jp/pelab/教員詳細情報研究分野・キーワード学歴職歴専門分野所属学会受賞歴現在実施している研究テーマ主要研究業績著書原著論文資料・解説・論説・研究報告・総合雑誌の論文一般講演（学術講演を含む）その他講演招待講演・特別講演（学会シンポジウム等での講演を含む）Last Updated :2023/11/21教員詳細情報研究分野・キーワード半導体デバイス、パワーエレクトロニクス、ダイヤモンド、ワイドギャップ半導体学歴1985年03月, 京都大学, 工学部, 電気工学科, 卒業1990年03月, 京都大学, 工学研究科, 電気工学, 博士課程・博士後期課程, 単位取得満期退学職歴1990年04月 - 2000年09月 日本電信電話株式会社　基礎研究所 研究員2000年10月 - 2011年09月 日本電信電話株式会社　物性科学基礎研究所 主幹研究員2001年01月 - 2001年12月 立命館大学　理工学部　電子光情報工学科 非常勤講師2002年07月 - 2003年07月 ドイツ・ウルム大学　電子デバイス回路学科 客員研究員2003年01月 - 2003年12月 東京理科大学　基礎工学部　材料工学専攻 非常勤講師2003年01月 - 2003年12月 東京大学　大学院　工学研究科　応用化学工学専攻 非常勤講師2005年04月 - 2007年03月 日本電信電話株式会社　物性科学基礎研究所 特別研究員2007年02月 - 2007年03月 パリ大学　（第１３）工学部　材料工学専攻 招聘教授2007年07月 - 2011年01月 日本電信電話株式会社　物性科学基礎研究所　薄膜材料研究グループ リーダー2010年04月 - 2012年03月 早稲田大学基幹理工学部電子光システム学科 非常勤講師2011年03月 - 2011年03月 筑波大学大学院 数理物質科学研究科 大学等非常勤研究員2011年10月 - 継続中 佐賀大学大学院工学系研究科電気電子工学講座 教授2013年04月 - 2014年03月 佐賀大学 電気電子工学専攻長2013年04月 - 2014年03月 佐賀大学 電気電子工学学科主任2015年04月 - 2017年03月 宇宙航空研究開発機構 客員教授2016年05月 - 2020年03月 産業技術総合研究所 クロスアポイントメントフェロー2019年04月 - 継続中 佐賀大学海洋エネルギー研究センター 教授2019年04月 - 継続中 佐賀大学理工学部理工学科 電子デバイスコース主任専門分野電子デバイス・電子機器, 電子・電気材料工学, 結晶工学, 薄膜・表面界面物性所属学会応用物理学会, 表面真空学会, 電子情報通信学会, 結晶成長学会受賞歴NTT物性研所長表彰業績賞 （2001年02月）電子材料シンポジウム（ＥＭＳ）アワード （2001年07月）NTT先端総研所長表彰業績賞 （2003年02月）NTT物性研所長表彰業績賞 （2004年02月）NTT先端総研所長表彰報道特別賞 （2004年02月）NTT先端総研所長報道特別賞 （2005年02月）NTT物性研所長表彰業績賞 （2005年02月）NTT技術誌Technical　Review論文賞 （2007年02月）日本結晶成長学会　論文賞 （2010年07月）表面科学会フェロー （2016年05月）応用物理学会フェロー （2016年09月）APEX JJAP 編集貢献賞 （2020年03月）現在実施している研究テーマダイヤモンド・高周波電力デバイスの開発とマイクロ波・ミリ波帯電力増幅器への応用ダイヤモンド表面の超高濃度キャリア生成機構の統一的解明と次世代デバイスへの展開主要業績AC Stable (100 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs 2023年10月1651-V All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond with 3.6×105 On/off Ratio 2023年09月Characterization of dislocation of halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 by ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography and its influence on Schottky barrier diodes 2023年09月Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs 2023年06月The improvement of Schottky barrier diodes fabricated only by B ion implantation doping accomplished by refinement of the electrode structure 2023年03月Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs 2023年03月ダイヤモンド半導体－Beyond5G, EV, 宇宙応用を目指した次世代パワー半導体－ 2023年03月Present status of Diamond Semiconductors 2023年03月未来型ダイヤモンド半導体の実用化に向けて―佐大から宇宙へ― 2023年03月ダイヤモンドMOSFET の高速(ダイヤモンドMOSFET の長時間(190h)ストレス測定 2023年03月ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器のα線特性 2023年03月高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンX 線トポグラフィーによるHVPE (001)型酸化ガリウムSBD のリーク電流の起源になるキラー欠陥の同定 2023年03月(011)面方位 HVPEβ型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンＸ線トポグラフィによるキラー欠陥の同定 2023年03月ダイヤモンド半導体－Beyond5G, EV, 宇宙応用を目指した次世代パワー半導体－ 2023年03月パワー半導体に向けたダイヤモンドFETとインチ径ダイヤウェハの最近の進展 2023年03月ダイヤモンドMOSFETの高速(ダイヤモンドMOSFETの長時間(190h)ストレス特性 2023年03月3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates 2023年01月ダイヤモンド半導体デバイスの作製技術と高性能化 2023年01月Line-shaped defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2022年12月High Crystal Quality of Vertical Bridgman and Edge-defined Film-fed Growth-Grown β-Ga2O3 Bulk Crystal Investigated Using High-Resolution X-ray Diffraction and Synchrotron X-ray Topography 2022年12月Structural characterization of defects in EFG- and HVPE-grown -Ga2O3 crystals 2022年12月875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFET 2022年12月Growth of high-quality inch-diameter heteroepitaxial diamond layers on sapphire substrates in comparison to MgO substrates 2022年12月3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs 2022年12月Initial growth mechanism of high-quality CVD diamond on Ir/sapphire substrate compared with Ir/MgO substrate 2022年12月Identification of dislocation responsible for leakage current in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes investigated via ultrahigh-sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography 2022年12月3659 V 0.37 A/mm NO2-doped p-channel Diamond MOSFETs fabricated on diamond grown on misoriented sapphire substrates 2022年11月Growth process of high-quality 2-in-diameter CVD diamond on Ir/sapphire substrate compared with Ir/MgO substrate 2022年11月Recent progress of NO2 p-type doped diamond MOSFET and heteroepitaxial diamond wafer technologies 2022年11月Defects responsible for leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography 2022年11月インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の格子歪発生のメカニズム－サファイア基板とMgO基板の比較－ 2022年10月インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の成長初期過程の観察－サファイア基板とMgO基板の比較－ 2022年10月Dislocation Responsible for Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBD Observed by Emission Microscopy and Synchrotron X-ray Topography 2022年10月High Quality Vertical Bridgman and Edge-Defined Film-Fed Growth β-Ga2O3 Bulk Crystal Investigated Using High-Resolution X-Ray Diffraction and Synchrotron X-Ray Topography 2022年10月Crystal Defects and Lattice Constants of High-Quality β-Ga2O3 Edge-Defined Film-Fed Grown Single Crystals Studied by Synchrotron X-ray Topography and High-Resolution X-Ray Diffractions 2022年10月Diamond Semiconductor; Inch‐Wafer Growth and Power FET Technologies 2022年09月傾斜サファイア基板上に成長したダイヤモンドウェハの高品質化 2022年09月ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器の作製 2022年09月インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の成長初期過程－サファイア基板とMgO基板の比較－ 2022年09月B イオン注入のみで作製した ダイヤモンドショットキーバリアダイオード 2022年09月3659 V, 0.37 A /mm微傾斜ダイヤモンド上に作製したNO2ドープダイヤモンドMOSFET 2022年09月ダイヤモンドパワー半導体デバイス 2022年09月ダイヤモンドパワー半導体デバイスの作製とデバイス応用に向けた課 2022年09月High On/Off Rectification Ratio of Diamond Schottky Barrier Diode Fabricated by All-Ion-Implantation Doping 2022年09月875 MW/cm2 NO2-p-Type-Doped Diamond MOSFETs 2022年09月Growth mechanism of high-quality inch-diameter diamond layers on sapphire substrates in comparison to MgO substrates 2022年09月3326 V 0.42 A/mm Modulation-Doped Diamond MOSFETs Fabricated via NO2 Delta Doping in Al2O3 Gate Layer 2022年09月Two-inch diamond wafer with high FOM for use in MOSFET 2022年08月究極のパワー半導体『ダイヤモンド』 2022年08月2インチ径ダイヤモンドCVD成長の機構と課題 2022年07月2インチ径ダイヤモンドCVD成長の機構と課題 2022年06月820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V modulation-doped diamond MOSFET 2022年06月875 MW/cm2 2568 V 0.68 A/mm NO2 P-type Doped Diamond MOSFETs 2022年06月Growth Mechanism of 2-Inch High-Quality Heteroepitaxial Diamond Free-Standing Wafers on Sapphire for High-Power Diamond FETs 2022年05月垂直 VB 成長と EFG 成長(001) β-Ga2O3 結晶の X 線トポグラフィー観察 2022年03月N フリーヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長 2022年03月高感度エミッション顕微鏡によるHVPE (001)型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定ー研磨による表面キズ 2022年03月精密 X 線回折法による高品質 EFG β-Ga2O3単結晶の格子定数の決定 2022年03月820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V 選択ドーピダイヤモンドMOSFET 2022年03月875 MW/cm2 2568 V 0.68A/mm NO2 ドープダイヤモンドMOSFET 2022年03月究極の半導体 ダイヤモンドの大口径ウェハとパワーデバイスの最近の進展 2022年03月Misorientation Angle of Heteroepitaxial Diamond on Sapphire Misoriented Substrate 2022年03月ダイヤモンド半導体 2022年02月ステップフローを用いたダイヤモンド2インチ径ヘテロウェハ成長と選択ドーピングしたダイヤモンドFETの開発 2022年01月ダイヤモンドヘテロエピタキシャル結晶成長とダイヤモンドＦＥＴへの応用 2022年01月Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2022年01月ダイヤモンド半導体デバイスの最近の進展2インチ径ヘテロエピウェハ成長と選択ドープパワーデバイスの作製 2021年12月High Quality Heteroepitaxial Diamond by Using Step-Flow Growth 2021年12月HVPE成長-Ga2O3 SBDのキラー欠陥のエミッション顕微鏡とシンクロトロン X 線トポグラフィーによる観察 2021年12月Diamond Field-Effect Transistors with Modulation Doping 2021年12月Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design 2021年12月Two-inch high-quality (001) diamond heteroepitaxial growth on sapphire (112 ̅0) misoriented substrate by step-flow mode 2021年12月Probe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2021年12月ダイヤモンド半導体の最近の進展大口径ヘテロエピタキシャル成長とパワー半導体デバイスの開発 2021年11月マイクロ波帯ハイパワーアンプ応用を目指したダイヤモンドトランジスタの研究 2021年11月ダイヤモンドウェハおよびトランジスタ技術の最近の進展 2021年11月ダイヤモンドパワー半導体デバイスの高出力化成功　5年後実用化に照準合わす 2021年11月ダイヤモンドウェハおよびトランジスタ技術の最近の進展 2021年11月サファイア基板上大口径・高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長機構 2021年10月ステップフロー成長を用いたサファイア基板上大口径・高品質ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長 2021年10月高感度エミッション顕微鏡およびシンクロトロンX線トポグラフィーによるHVPE(001)β型酸化ガリウムSBDのキラー欠陥の同定 2021年10月ダイヤモンド大口径ウェハおよびパワートランジスターの最近の進展 2021年10月ダイヤモンド大口径ウェハおよびパワートランジスターの最近の進展 2021年10月影が太陽光モジュールの発電量に与える影響のメカニズム 2021年09月緑色発光を用いたβ-Ga2O3結晶の微細構造評価 2021年09月サファイア基板に大口径・高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドが成長する機構 2021年09月ステップフロー成長を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの高品質化 2021年09月高分解能X線回折法によるVB成長β型酸化ガリウムの結晶品質の評価 2021年09月イオン注入法のみでドーピングし作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード 2021年09月選択ドーピングしたダイヤモンド電界効果トランジスタ 2021年09月高感度エミッション顕微鏡によるHVPE (001)型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定ープローブによる欠陥 2021年09月Modulation-doped diamond field-effect transistors fabricated by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer 2021年09月Initial Growth Mechanism of High-Quality Diamond Heteroepitaxial Layers on Sapphire and MgO Substrates 2021年09月Schottky barrier diodes fabricated on high-purity type-IIa CVD diamond substrates using an all-ion-implantation process 2021年04月Stacking faults: Origin of leakage current in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2021年04月345-MW/cm2 2608-V NO2 p-type Doped Diamond MOSFETs with an Al2O3 Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond 2021年04月Fabrication of diamond modulation-doped FETs by NO2 delta doping in an Al2 O3 gate layer 2021年04月MgO基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長機構 2021年03月サファイア基板上に成長した最高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド 2021年03月2608 V Operation of NO2-Doped p-channel Diamond MOSFETs 2021年03月Observation of Nitrogen species at Al2O3/NO2/H-diamond Interfaces Using Synchrotron X-ray Photoemission Spectroscopy 2021年03月顕微ラマンマッピング測定による酸化ガリウム結晶の微細構造評価 2021年03月Polycrystalline Defects Origin of Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBDs Identified by High Sensitive Emission Microscope 2021年03月高感度エミッション顕微鏡によるHVPE(001)beta型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定―微粒子による積層欠陥 2021年03月高感度エミッション顕微鏡によるHVPE(001)beta型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定―微粒子による積層欠陥 2021年03月ラマン分光法によるGaN/ダイヤモンド接合界面の残留応力評価 2021年03月ダイヤモンドパワーFETと大口径ウエファーの最近の進展 2021年01月Fabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications 2021年01月Polycrystalline defects—origin of leakage current—in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes identified via ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography 2021年01月放射光X線トポグラフィーによる次世代パワー半導体酸化ガリウムの欠陥の観察 2020年12月Ultrahigh-Sensitivity Emission Microscopy Study of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes in Operation 2020年11月High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates 2020年11月Initial Growth of High-Quality Diamond Heteroepitaxial Layer on Sapphire Substrate 2020年11月Observation of nitrogen species at Al2O3/NO2/H-diamond interfaces by synchrotron radiation x-ray photoemission spectroscopy 2020年10月Growth of high-quality one-inch freestanding heteroepitaxial (001) diamond on (110) sapphire substrate 2020年10月サファイア基板上にヘテロエピタキシャル成長したダイヤモンドの核形成の観察 2020年09月高品質VB成長β型酸化ガリウムバルク結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察 2020年09月HVPE成長β型酸化ガリウムエピ層中の積層欠陥の観察 2020年09月超高感度エミッション顕微鏡によるEFG成長β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の起源の同定 2020年09月145-MW/cm2 NO2-Doped Diamond MOSFETs 2020年09月145-MW/cm2 Heteroepitaxial Diamond MOSFETs With NO2 p-Type Doping and an Al2O3 Passivation Layer 2020年08月Origin of reverse leakage current path in edge-defined film-fed growth (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by high　sensitive emission microscopy 2020年08月Temperature coefficient of the characteristic values of the charge-accumulation-type potential-induced-degraded n-type mono-crystalline silicon photovoltaic cell 2020年04月高感度エミッション顕微鏡による(001)型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の観察 2020年03月NO2ドープダイヤモンドMOSFETの大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作 2020年03月サファイア基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャルの成長機構 2020年03月GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価 2020年03月Fabrication of diamond/Cu direct bonding interface for power device applications 2020年01月Characteristics change in organic photovoltaics by thermal recovery and photodegradation 2020年01月Characterization of Nanoscopic Cu/Diamond Interfaces Prepared by Surface-Activated Bonding: Implications for Thermal Management 2020年01月パワー半導体デバイス応用を目指したダイヤモンド，酸化ガリウムのシンクロトロンX 線トポグラフィー観察 2020年01月Diamond Semiconductor Technologies towards RF Power Applications 2019年11月高出力パワーデバイス応用に向けたGaN/Diamond直接接合の作製 2019年09月GaAs/Diamond直接接合の界面評価 2019年09月RF measurements and analysis for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds, 2019年09月RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds 2019年09月Relation between Emission Spots and Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes 2019年08月Synchrotron X-ray Topography Observation of Defects in Vertical-Bridgman-Grown β-Ga2O3 Single Crystal 2019年08月Heterointerfacial electronic properties and energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface using XPS/XANES measurements 2019年05月RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds 2019年05月β-Ga2O3単結晶中の欠陥と電気的特性の相関 2019年05月β-Ga2O3結晶中の欠陥と電気的特性との関係 2019年05月“Investigation of the power generation of organic photovoltaic modules connected to the power grid for more than three years 2019年04月Characterization of crystalline defects in β -Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth and halide vapor-phase epitaxy using synchrotron X-ray topography 2019年04月β-Ga2O3結晶中の欠陥とデバイス特性との関係 2019年04月Temperature dependence of potential-induced degraded p-type mono-crystalline silicon photovoltaic cell characteristics 2019年04月Output power behavior of passivated emitter and rear cell photovoltaic modules during early installation stage: influence of light-induced degradation 2019年04月NO2ドープダイヤモンドMOSFETの大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作 2019年03月サファイア基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャルの成長機構 2019年03月高感度エミッション顕微鏡による(001)型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の観察 2019年03月GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価 2019年03月Energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface determined by synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy 2019年03月有機薄膜太陽電池の準安定性に影響を与える温度の検討 2019年03月高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製 2019年03月ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲートMOSFETの高周波特性 2019年03月パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu直接接合の形成 2019年03月シンクロトロンX線トポグラフィーによる垂直ブリッジマン成長β-Ga2O3単結晶の欠陥の観察 2019年03月HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットと逆方向リーク電流の関係 2019年03月Energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface determined by synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy 2019年03月有機薄膜太陽電池の準安定性に影響を与える温度の検討 2019年03月高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製 2019年03月ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲートMOSFETの高周波特性 2019年03月パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu直接接合の形成 2019年03月シンクロトロンX線トポグラフィーによる垂直ブリッジマン成長β-Ga2O3単結晶の欠陥の観察 2019年03月HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットと逆方向リーク電流の関係 2019年03月Epitaxial lateral overgrowth alpha-GaO3 by Halide Vapor Epiaxy 2019年02月Stability of diamond Si bonding interface during device fabrication process 2019年01月Heterointerface properties of diamond MOS structures studied using capacitance–voltage and conductance–frequency measurements 2019年01月Improvement of the Al2O3NO2H-diamond MOS FET by using Au gate 2019年01月エレクトロニクス材料としてのダイヤモンド：エネルギー問題の解決を目指して 2018年11月Recent progress of diamond field-effect transistor technologies 2018年11月Crystal defects which relate with leakage current of HVPE (001) b-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2018年11月The Interface properties of Al2O3/NO2/H-diamond in MOSFET structure studied by capacitance and conductance and synchrotron XPS/XANES measurements 2018年11月Diamond field-effect transistors for RF power applications 2018年10月β-Ga2O3結晶中の欠陥と電気的特性との関係 2018年10月シンクロトロンX線トポグラフィーによるCVDダイヤモンドホモエピ膜の欠陥の観察 2018年09月ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の化学機械平坦化(CMP)処理による電気特性の評価 2018年09月Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製 2018年09月DCストレス後のダイヤモンドMOS FET特性のデバイスシミュレーションによる解析 2018年09月HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットの観察 2018年09月Diamond field-effect transistors fabricated on high-quality heteroepitaxial diamond wafers treated by chemical mechanical polishing technology 2018年09月Energy band alignment of Al2O3/NO/H-diamond and Al2O3/SO2/H-diamond heterointerfaces determined by synchrotron XPS/UPS/XANES measurements 2018年09月Improvement of performance of NO2-doped H-diamond FET by using Au gate metal 2018年09月Temperature dependence measurements and performance analyses of high-efficiency interdigitated back-contact, passivated emitter and rear cell, and silicon heterojunction photovoltaic modules 2018年08月Dislocations in chemical vapor deposition (111) single crystal diamond observed by synchrotron X-ray topography and their relation with etch pits 2018年04月Band Alignment of Al2O3 Layer Deposited NO and SO2 2018年04月Reduction of dislocation densities in single crystal CVD diamond by confinement in the lateral sector 2018年03月ダイヤモンド基板のCMP処理によるエピタキシャル膜の高品質化 2018年03月シンクロトロンX線セクショントポグラフィーによる低転位密度の高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察 2018年03月シンクロトロンX線光電子分光法によるAl2O3/NO/Hダイヤモンドヘテロ界面のエネルギーバンドアライメントの測定 2018年03月マイクロニードル技術を用いた高品質ヘテロエピタキシャル膜上に作製したダイヤモンドFET 2018年03月Al2O3/NO2ホールドープダイヤモンドMOS構造のC-V測定におけるゲート金属の影響 2018年03月高い電圧変換比を持つダイヤモンドショットキーバリアダイオードRF-DC変換回路 2018年03月バックコンタクト型太陽電池，PERC型太陽電池，シリコンヘテロ接合型太陽電池モジュールの温度特性測定 2018年03月HVPEによるα-Ga2O3のGeドーピング 2018年03月HVPEによるα-Ga2O3の選択横方向成長 2018年03月The combination of Diamond devices with Si LSI by surface activated bonding 2018年03月Interpolation Method for Missing Data of Measurement in Mega Solar Power Plant Using Wavelet Transforms 2017年11月Subsecond interval measurements of outdoor operated mega solar power plant 2017年11月Interface Properties of Diamond MOS Diodes Studied by Capacitance-Voltage and Conductance Methods - NO2 Hole Doping Effect – 2017年09月Si 基板と接合した単結晶ダイヤモンドの残留応力評価 2017年09月NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレスによる劣化メカニズムの検討 2017年09月2017年09月シンクロトロンX線トポグラフィーによるEFG成長β-Ga2O3単結晶中の欠陥の観察 2017年09月低暗電流酸化ガリウムMIS光検出素子 2017年09月Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on β-Ga2O3 2017年09月en-Millisecond Interval Measurements of Generated Power, Irradiance and Weather at Mega Solar Power Plant 2017年06月High-Speed Measurements of Generated Power and its Relationship to Weather Observations at Yoshinogari Mega Solar Power Plant 2017年06月Dependence of String Power on its Height in the Array in Yoshinogari Mega Solar Power Plant 2017年06月Temperature Dependence and Performance Analysis of Photovoltaic Modules 2017年06月Continuous operation (14 h) and stress tests for H-diamond field-effect transistors 2017年05月2017年05月Carrier confinement observed at modulation-doped β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 heterojunction interface 2017年05月Epitaxial growth of γ-(Alx Ga1-x )O3 alloy films for band-gap engineering 2017年05月Formation of stacking fault and dislocation behavior during the high temperature annealing of single-crystal HPHT diamond 2017年04月Electrical properties of Schottky barrier diodes fabricated on (001) β-Ga2O3 substrates with crystal defects 2017年04月Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on β-Ga2O3 2017年04月吉野ヶ里メガソーラーにおける高速測定システムの構築 2017年03月ダブルNO2ホールドーピングした水素終端ダイヤモンドMOS FETの連続動作 2017年03月ダイヤモンド素子を用いた高耐圧レクテナ回路の作製 2017年03月(2 ̅01) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係 2017年03月(001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係 2017年03月Diamond field-effect transistors for RF power electronics: Novel NO2 hole doping and low-temperature deposited Al2O3 passivation 2017年01月Diamond Schottky Barrier Diodes With NO2 Exposed Surface and RF-DC Conversion Toward High Power Rectenna 2017年01月Relationship between crystal defects and leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 2016年12月Structural evaluation of defects in β-Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth process 2016年12月Origins of etch-pits in (010) β-Ga2O3 single crystals 2016年12月Recent Progress of Diamond Devices for RF Applications 2016年10月高温アニールによるダイヤモンド単結晶の積層欠陥の消高温アニールによるダイヤモンド単結晶の積層欠陥の消滅 2016年09月イヤモンドデバイスを用いた無線電力伝送用レクテナの理論的検討 2016年09月酸化ガリウムダイオードを用いたレクテナ回路動作 2016年09月β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係 2016年09月β-Ga2O3 (010)単結晶のエッチピットの構造 2016年09月abrication of Diamond Rectenna Devices for RF Power Transmission 2016年09月Disappearance of stacking faults in single crystal diamond by thermal annealing 2016年09月Real –Time Measurement of Hole Doping by NO2 and SO2 Molecular Adsorption on H-Terminated Diamond Surfaces 2016年09月Fabrication of diamond field-effect transistors with double NO2 hole doping and low-temperature-deposited Al2O3 gate insulator layer 2016年09月Determination of stacking faults in an (111) high pressure/high temperature (HP/HT) diamond single crystals with extremely low defect density via synchrotron X-ray topography 2016年09月Diamond epitaxy: basics and applications 2016年08月“Estimation method of solar cell temperature using meteorological data in mega solar power plant 2016年08月Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga2O3 2016年08月Diamond Devices for RF Applications 2016年08月Observation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown β-Ga2O3 single crystals 2016年04月Study on conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes 2016年04月“Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer 2016年04月Diamond FETs for RF Power Electronics; Novel Hole Doping 2016年03月Synchrotron X-ray topography observation of stacking faults in HPHT diamond single crystal 2016年03月シンクロトロンX線トポグラフィーによる低欠陥密度高温高圧合成(110)ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の部分転位観察 2016年03月シンクロトロンX線トポグラフィーによる低欠陥密度高温高圧合成ダイヤモンド(111)単結晶の積層欠陥観察 2016年03月ダブルNO2ホールドーピングを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの作製 2016年03月-Ga2O3ショットキーバリアダイオード素子特性の分布 2016年03月高濃度Snドープ-Ga2O3(-20 1)単結晶の温度特性の検討 2016年03月高効率無線電力伝送を目指したダイヤモンド・レクテナデバイスの提案 2016年03月β-Ga2O3(010)単結晶のエッチピットの観察 2016年03月β-Ga2O3成長結晶の(010)における溝型欠陥の観察 2016年03月ダイヤモンド表面のSO2ホールドーピングの実時間測定 2016年03月ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の作製 2016年03月Fabrication of Diamond Field-Effect Transistors with Various NO2 Hole-Doping Conditions and Al2O3 Gate Insulator Layers 2016年03月Study on Dislocations and Stacking faults and in High-Pressure High-Temperature Synthesized Type-IIa Diamond Single Crystals by Synchrotron X-ray Topography Observations 2016年03月Observation of Crystalline Pits in β-Ga2O3 As-Grown Single Crystals 2016年03月Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer 2016年02月Determination of the type of stacking faults in single-crystal high-purity diamond with a low dislocation density of Observation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown β-Ga2O3 single crystalsUematsu, Satoshi Masuya, Kimiyoshi Koshi, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Osamu Ueda, and Makoto Kasu 2016年01月Study on conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (2̅ 0 1) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes 2016年01月ダイヤモンド単結晶とSi単結晶基板の常温接合 2016年ダイヤモンドMOSFET界面研究の最近の進展 2015年12月NO2 分子吸着中における水素終端ダイヤモンド表面のホール濃度の測定 2015年12月b-Ga2O3ワイドギャップ半導体単結晶のエッチピットの構造 2015年12月Etch-Pit Observation of EFG-grown -Ga2O3 Single Crystals 2015年11月Fabrication of Schottky Barrier Diodes of EFG-grown Sn-doped b-Ga2O3 (-201) Single-Crystals 2015年11月Estimation Method of Solar Cell Temperature Using Meteorological Data in Mega Solar Power Plant, 2015年11月Estimation Method of Characteristic Parameters of Strings in Mega Solar Power Plant 2015年11月シンクロトロンX線トポグラフィー透過法によるHPHT単結晶ダイヤモンドの 転位の観察 2015年11月高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の放射光Ｘ線トポグラフィ観察 2015年11月EFG成長β- Ga2O3単結晶のエッチピットの観察 2015年10月シンクロトロンX線トポグラフィによる高温高圧合成ダイヤモンド(110)単結晶の積層欠陥の評価 2015年10月シンクロトロンX線トポグラフィーによる高品質高温高圧合成ダイヤモンド 単結晶の転位の種類の同定 2015年10月Ultimate Wide-Gap Semiconductors:Diamond Power Devices and Aluminum Nitride Deep-Ultraviolet LEDs 2015年09月b-Ga2O3(01 ̅0)単結晶のエッチピット観察 2015年09月シンクロトロンX線トポグラフィによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の観察 2015年09月Snドープb-Ga2O3(-2 0 1)単結晶のショットキーバリアダイオードの作製 2015年09月NO2分子によるホールドーピングを用いた水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの作製 2015年09月NO2 吸着ダイヤモンドFET のデバイスモデルの提案 2015年09月Diamond Transistors –Present Status and Future Prospects 2015年06月Synchrotron X-ray Topography Observation of (110) HPHT type-IIa Diamond Single Crystals 2015年05月シンクロトロンX線トポグラフィーによる(110)高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察 2015年03月メガソーラー測定データを用いた太陽電池セル温度の推定 2015年03月太陽電池モジュールの半導体素子としての電気的特性解析 2015年03月高移動度-Ga2O3単結晶(-201 )を用いたショットキーバリアダイオードの作製 2015年03月High-mobility β-Ga2O3(-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes with Ni contact 2015年01月資源問題と表面科学 2014年12月高圧高温合成ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィー観察による転位の同定 2014年12月Ni/Auを用いた����–Ga2O3のショットキーバリアダイオードの作製 2014年12月ソーラーパネルのホットスポット観察と電流電圧特性 2014年12月Synchrotron X-ray topography of dislocations in high-pressure high-temperature-grown single-crystal diamond with low dislocation density 2014年11月Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges 2014年11月Diamond MOS Interface Properties Studied by XPS/UPS/XANES and C-V Measurements 2014年11月シンクロトロンX線トポグラフィーによる高品質高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の転位の種類の同定 2014年11月Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges 2014年10月パワー半導体ダイヤモンド単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察 2014年10月ダイヤモンドパワートランジスタ研究開発の最近の進展 2014年09月Device Operation Analysis of Diamond MOSFET Obtained by Capacitance–Voltage Characteristics 2014年09月Dislocation Identification of HPHT Diamond Single Crystal Using Synchrotron Light • X-ray Topography Observation 2014年09月Synchrotron X-ray Topography Observation of CVD Diamond Single Crystal 2014年09月シンクロトロン光・単色X線トポグラフィーによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の反りの高精度測定 2014年09月(-201)及びB 面β-Ga2O3 単結晶のシンクロトロン単色X 線トポグラフィー観察 2014年09月ダイヤモンドMOSFETのゲート容量の周波数依存性 2014年09月Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges 2014年08月ダイヤモンドパワーデバイス研究の現状 2014年05月ダイヤモンドパワー素子技術 2014年05月Electronic states of NO2-exposed H-terminated diamond/Al2O3 heterointerface studied by synchrotron radiation photoemission and X-ray absorption spectroscop 2014年04月シンクロトロン光・X線トポグラフィーを用いたダイヤモンド単結晶の転位の同定 2014年04月 β-Ga2O3単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察 2014年03月ダイヤモンドMOSFETの容量電圧特性の測定と解析 2014年03月β-Ga2O3単結晶のホール電子濃度と移動度の測定と解析 2014年03月β-Ga2O3単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察 2014年03月CVD成長ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光・X線トポグラフィー観察 2014年03月NO2曝露・水素終端ダイヤモンド／Al2O3ヘテロ界面のバンド不連続の放射光XPS/UPS/XANES測定 2014年03月シンクロトロン光・X線トポグラフィー観察を用いた高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の転位の同定 2014年03月高移動度b-Ga2O3単結晶(-201 )を用いたショットキーバリアダイオードの作製 2014年 NO2吸着・水素終端ダイヤモンド／ALD成長Al2O3界面の放射光XPS/UPSによる電子状態評価 2013年11月 β-Ga2O3のホール効果測定による電子濃度と移動度の解析 2013年11月 高圧高温合成ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー観察 2013年11月 CVD成長ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィー観察 2013年11月 SiC-MOSFETのスイッチング特性解析―SiCパワーMOSFETとの比較― 2013年11月 Maximum hole concentration for Hydrogen-terminated diamond surfaces with various surface orientations obtained by exposure to highly concentrated NO 2 2013年10月 マイクロ波プラズマCVD成長ダイヤモンドを用いたパワー高周波FET 2013年10月 ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィ評価、マイクロ波プラズマCVD成長と高圧高温合成の比較 2013年10月 Carrier Gas Dependent Evaporation Energy of GaN Estimated from Spiral Growth Rates in Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2013年09月 パワー半導体ダイヤモンド単結晶の放射光X線トポグラフィ観察 2013年07月 ダイヤモンドデバイスのスマートフォン・タッチパネル向けデバイスへの応用の可能性 2013年04月 高温高圧合成ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー観察 2013年03月 極限遠紫外線LED研究開発 2013年02月 Mechanism of hole doping into hydrogen terminated diamond by the adsorption of inorganic molecule 2013年 ダイヤモンド結晶成長：パワーデバイス応用への現状と課題 2012年12月 ワイドギャップ半導体の創製と光電子デバイスへの応用 2012年12月 β-Ga2O3単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー評価 2012年11月Epitaxial growth of AlGaN/GaN high-electron mobility transistor structure on diamond (111) surface 2012年10月Efficient structure for deep-ultraviolet light-emitting diodes with high emission efficiency: A first-principles study of AlN/GaN superlattice 2012年10月Thermal stabilization of hole channel on H-terminated diamond surface by using atomic-layer-deposited AL 2O 3 overlayer and its electric properties 2012年10月 Polarization property of deep-ultraviolet light emission from C-plane AlN/GaN short-period superlattices 2012年10月 NO2及びO3吸着による水素終端ダイヤモンド表面での正孔生成 2012年10月 究極のパワー半導体ダイヤモンド 2012年10月 半導体気相成長での過飽和度とステップフロー・核形成 2012年09月 Thermal Stabilization of H-Terminated Diamond Surface by Using Al2O3 Overlayer and its Stable and Improved Field-Effect Transistors 2012年09月 Critical hole concentration for H-terminated diamond surfaces with various surface orientations obtained by high-concentrated NO2 exposure 2012年09月 高濃度NO2ガスを用いた様々な面方位をもつ水素終端ダイヤモンド表面へのホールドーピング 2012年09月 NO2吸着とAl2O3パッシベーションにより熱的安定化した水素終端ダイヤモンドFETのドレイン電流の増大 2012年09月 ダイヤモンドパワーデバイスの研究開発の現状 2012年08月 水素終端ダイヤモンド表面の正孔生成機構：吸着分子の特定と第一原理計算結果 2012年06月 Single-crystalline nitride growth on diamond 2012年05月 「ダイヤモンドパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開」 2012年05月 Inorganic Molecular Hole Doping on H-terminated Diamond Surface; Critical Hole Concentration for Various Orientations and the First-Principle Calculations 2012年05月CVD 単結晶ダイヤモンドの異常成長粒子、転位、不純物ドーピングの機構 2012年04月 窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ構造: 結晶成長とデバイス応用」 2012年03月 Al2O3パッシベーションにより熱的安定化した水素終端ダイヤモンドFET 2012年03月 NO2吸着水素終端ダイヤモンド表面の熱的安定化と高温域の電気的特性 2012年03月 気相成長表面における結晶成長機構 2012年01月“Thermal Stabilization of Hole Channel on H-Terminated Diamond Surface by Using Atomic-Layer-Deposited Al2O3 Overlayer and its Electric Properties” 2012年 Growth and Device Properties of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors on a Diamond Substrate 2012年RF High-Power Operation of AlGaN/GaN HEMTs Epitaxially Grown on Diamond 2012年Electronic properties of H-terminated diamond during NO2 and O3 adsorption and desorption 2012年 Thermally Stable Operation of H-Terminated Diamond FETs by NO2 Adsorption and Al2O3 Passivation 2012年 Diamond Field-Effect Transistors with 1.3A/mm Drain Current Density by Al2O3 Passivation Layer 2012年 単結晶ダイヤモンドにおエピタキシャル成長したAlGaN/GaN　HEMTの高周波高出力動作 2011年12月 高濃度NO2吸着による水素終端ダイヤモンドの正孔濃度の増加とFET特性の改善 2011年12月 Critical Hole Concentration of H-terminated Diamond and Hole Generation Model during NO2 and O3 adsorption 2011年12月 ダイヤモンド・高周波電力デバイスの開発とマイクロ波・ミリ波帯電力増幅器への応用 2011年10月 Diamond-based Electronic Device Technologies 2011年10月Electroluminescence and capacitance-voltage characteristics of singlecrystal n-type AlN (0001) /p-type diamond (111) heterojunction diodes 2011年 Coherent coupling of a superconducting flux qubit to an electron spin ensemble in diamond 2011年Hexagonal AlN(0001) heteroepitaxial growth on cubic diamond (001) 2010年High temperature operation of boron-implanted diamond field-effect transistors 2010年Electronic and surface properties of H-terminated diamond surface affected by NO2 gas 2010年Supersaturation in nucleus and spiral growth in metal organic vapor phase epitaxy 2010年Sorption properties of NO2 gas and its strong influence on hole concentration of H-terminated diamond surfaces 2010年Heterostructure growth of a single-crystal hexagonal AlN (0001) layer on cubic diamond (111) surface 2010年Surface 210-nm light emission from AlN p-n junction light-emitting diode by A-plane growth orientation 2010年Nucleus and spriral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy 2010年Enhancement and stabilization of hole concentration of hydrogen-terminated diamond surface using ozone adsorbates 2010年Arsenic-doped n-type diamond grown by microwave-assisted plasma chemical vapor deposition 2010年ダイヤモンド半導体　２．デバイス 2009年水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタ 2009年Beryllium-doped single-crystal diamond grown by microwave plasma CVD 2009年MOVPE growth of hexagonal aluminium nitride on cubic diamond 2009年Low-temperature characteristics of the current gain of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors 2009年Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni (111) substrate 2009年Structural and electrical properties of hydrogen-terminated diamond field-effect transistor 2009年Identification of etch-pit crystallographic faces induced on diamond surface by H2/O2 etching plasma treatment 2009年Improvement of hydrogen-terminated diamond FETs in nitrogen dioxide atmosphere 2009年Origin of Schottky barrier modification by hydrogen on diamond 2009年Photoluminescence of highly excited AlN: biexcitons and exciton-exciton scattering 2009年Step-free GaN hexagons grown by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy 2009年High-temperature (300 �C) operation of npn -type GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors 2008年07月Diamond RF FETs and other approaches to electronics 2008年07月Diamond FETs on boron-implanted and high-pressure and high-temperature annealed homoepitaxial diamond 2008年07月 ダイヤモンド高周波デバイス 2008年Anisotropic in-plane strains in nonpolar AlN and AlGaN (11-20) films grown on SiC (11-20) substrates 2008年RF equivalent-circuit analysis of p-type diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination 2008年Origin of growth defects in CVD diamond epitaxial films 2008年High-pressure and high-temperature annealing effects of boron-implanted diamond 2008年Thick diamond layers angled by polishing to reveal defect and impurity depth profiles 2008年Gate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors 2008年High-pressure and high-temperature annealing of diamond ion-implanted with various elements 2008年Aluminum nitride deep-ultraviolet light-emitting p-n junction diodes 2008年High-temperature characteristics of AlxGa1-xN-based vertical conducting diodes 2008年第６節　ＡｌＮ遠紫外発光ダイオードの現状と課題 2007年Gate capacitance-voltage characteristics of submicron-long-gate diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination 2007年High-pressure and high-temperature annealing as an activation method for ion-implanted dopants in diamond 2007年Radiation and polarization properties of free-exciton emission from AlN (0001) surface 2007年Threading dislocations in heteroepitaxial AlN layer grown by MOVPE on SiC (0001) substrate 2007年Cathodoluminescence, photoluminescence, and reflectance study of an aluminum nitride layer grown on silicon carbide substrate 2007年Diamond-based RF power transistors: Fundamentals and applications 2007年AlN light-emitting diodes 2006年High RF output power for H-terminated diamond FETs 2006年Temperature dependent DC and RF performance of diamond MESFET 2006年High-pressure and high-temperature annealing effect of CVD homoepitaxial diamond films 2006年Characterization of high-quality poly-crystalline diamond and its high FET performance 2006年Diamond FET using high-quality polycrystalline diamond with fT of 45 GHz and fmax of 120 GHz 2006年Increased electron mobility in n-type Si-doped AlN by reducing dislocation density 2006年An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres 2006年Influence of lattice constants of GaN and InGaN on Npn-type GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors 2006年Strained thick p-InGaN layers for GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors on sapphire substrates 2005年2 W/mm output power density at 1 GHz for diamond FETs 2005年Field emission properties of heavily Si-doped AlN in triode-type display structure 2004年Electrical conduction properties of n-type Si-doped AlN with high electron mobility ( > 100 cm2 V-1 s-1) 2004年Influence of epitaxy on the surface conduction of diamond film 2004年Microwave performance evaluation of diamond surface channel FETs 2004年Properties of (111) diamond homoepitaxial layer and its application to field-effect transistor 2004年High electron concentrations in Si-doped AlN/AlGaN superlattices with high average Al content of 80% 2003年Triode-type basic display structure using Si-doped AlN field emitters 2003年Formation of stacking faults containing microtwins in (111) chemical-vapor-deposited diamond homoepitaxial layers 2003年High mobility and high crystalline-quality chemical-vapor-deposition grown homoepitaxial diamond 2003年Reduction of threading dislocations in crack-free AlGaN by using multiple thin SixAl1-xN interlayers 2003年微傾斜面とエピタキシー 2002年Intentional control of n-type conduction for Si-deoped AlN and AlxGa1-xN (0.42Intentional control of n-type conduction for Si-doped AlN and AlxGa1-xN with high Al content 2002年High hole mobility (1300cm2/Vs) at room temperature in hydrogen-terminated (001) diamond 2002年Spontaneous ridge-structure formation and large field emission of heavily Si-doped AlN 2001年Field emission characteristics and large current density of heavily Si-doped AlN and AlxGa1-xN (0.38Lattice parameters of wurtzite Al1-xSixN ternary alloy 2001年Formation of solid solution of Al1-xSixN (0Spontaneous ridge formation and its effect on field emission of heavily Si-doped AlN 2001年Large and stable field emission current from heavily Si-doped AlN grown by metalorganic vapor phase epitaxy 2000年Large electron field emission from high-quality heavily Si-doped AlN grown by MOVPE 2000年Nitrogen radical adsorption on InAs (001) surface studied by scanning tunneling microscopy and x-ray photoelectronic spectroscopy 1998年Selectivity mechanism of all-UHV STM-based selective area growth 1998年In-situ STM observation of GaAs surfaces after nitridation 1997年Nanoscale patterning and selective growth of GaAs surfaces by ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy 1997年Selective-area GaAs growth using nitrogen passivation and scanning tunneling microscopy modification in a nanometer scale 1997年Surface diffusion kinetics of GaAs and AlAs metalorganic chemical vapor epitaxy 1997年Nanometer-scale selective area growth on nitrogen-passivated surface using STM and MOMBE 1997年Surface kinetics of metalorganic chemical vapor epitaxy -surface diffusion, nucleus formation, sticking at steps- 1997年Anisotropic surface morphology of GaAs (001) surfaces passivated with nitrogen radicals 1996年Scanning tunneling microscopy modification of nitrogen-passivated GaAs (001) surfaces on a nanometer scale 1996年Surface diffusion of AlAs on GaAs in metalorganic chemical vapor-phase epitaxy studied by high-vacuum scanning tunneling microscopy 1995年Surface diffusion of AlAs on GaAs in metalorganic chemical vapor-phase epitaxy studied by high-vacuum scanning tunneling microscopy 1995年Scanning tunneling microscopy study of GaAs step structures on vicinal substrate grown by metalorganic chemical vapor deposition 1994年Observation of GaAs (001) surface at high temperatures by scanning tunneling microscopy 1993年Equilibrium multiatomic step structure of GaAs (001) vicinal surfaces grown by metalorganic chemical vapor deposition 1993年Multi-atomic steps on metalorganic chemical vapor deposition-grown GaAs vicinal surfaces studied by atomic force microscopy 1992年Polarized photoluminescence of fractional layer superlattices 1992年Fractional layer superlattices grown by MOCVD and their device application 1992年Anisotropy in photoluminescence and absorption spectra of fractional layer superlattices 1991年Photoluminescence lifetime of AlAs/GaAs disordered superlattices 1991年DX centers in AlxGal-xAs bulk alloy, AlAs/GaAs ordered and disordered superlattices 1991年Step-density dependence of growth rate on vicinal surface of MOCVD 1991年 Photoluminescent properties and optical absorption of AlAs/GaAs disordered superlattices 1990年Optical properties of disordered superlattices 1990年Photoluminescent properties of AlAs/AlxGa1-xAs (x=0.5) disordered superlattices 1990年Electroluminescence of AlAs/GaAs disordered superlattices 1990年Absorption spectra and photoluminescent processes of AlAs/GaAs disordered superlattices 1990年Proposal and experimental results of disordered crystalline semiconductors 1989年著書ダイヤモンドヘテロエピタキシャル結晶成長とダイヤモンドＦＥＴへの応用;　2022年01月発表情報;　次世代パワー半導体の開発・評価と実用化、岩室憲幸監修、ＮＴＳ, 137-148著者;　嘉数　誠、金　聖祐 ダイヤモンドデバイスのスマートフォン・タッチパネル向けデバイスへの応用の可能性;　2013年04月発表情報;　技術情報協会著者;　嘉数　誠ダイヤモンド半導体　２．デバイス;　2009年発表情報;　「パワーエレクトロニクスの新展開　―SiC、GaN、 ダイヤモンド半導体―」、 シーエムシー出版著者;　嘉数 誠水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタ;　2009年発表情報;　CVD Diamond for Electronic Devices and Sensors Eds. R. Sussmann, John Wiley & Sons, Ltd, 289-312著者;　嘉数　誠 ダイヤモンド高周波デバイス;　2008年発表情報;　「ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線」、シーエムシー出版, 266-278著者;　嘉数 誠第６節　ＡｌＮ遠紫外発光ダイオードの現状と課題;　2007年発表情報;　化合物半導体の最新技術 大全集～結晶成長から発光素子を中心に～ 技術情報協会著者;　谷保芳孝、嘉数 誠、牧本俊樹AlN light-emitting diodes;　2006年発表情報;　Modern Wide Bandgap Semiconductors and Related Optoelectronic Devices Springer-Verlag, Berlin著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto微傾斜面とエピタキシー;　2002年発表情報;　結晶成長のダイナミクスシリーズ:　3　エピタキシャル成長のメカニズム 中嶋一雄編集、共立出版, 135-153著者;　嘉数　誠原著論文AC Stable (100 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs;　2023年10月発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 44, 1704著者;　Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Toshiyuki Oishi, M. Kas1651-V All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond with 3.6×105 On/off Ratio;　2023年09月発表情報;　IEEE Electron Dev. Lett., 44, 293著者;　Niloy Chandra Saha , Yuya Irie, Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Jyoji Nakata, Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi,Characterization of dislocation of halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 by ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography and its influence on Schottky barrier diodes;　2023年09月発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys, 62, SF1001著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata and Makoto KasuLong Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs;　2023年06月発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 44, 975著者;　Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, M. KasuThe improvement of Schottky barrier diodes fabricated only by B ion implantation doping accomplished by refinement of the electrode structure;　2023年03月発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 62, 040902著者;　Yuhei Seki, Niloy Chandra Saha, Seiya Shigematsu, Yasushi HOSHINO, Jyoji Nakata, Toshiyuki Oishi and Makoto KasuFast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs;　2023年03月発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 44, 793著者;　Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates;　2023年01月発表情報;　IEEE Electron Dev. Lett., 44, 112著者;　Niloy Chandra Saha; Seong-Woo Kim; Koji Koyama; Toshiyuki Oishi; Makoto KasuLine-shaped defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2022年12月発表情報;　Appl. Phys. Lett., 120, 122107著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, Toshiyuki Oishi, and Makoto KasuHigh Crystal Quality of Vertical Bridgman and Edge-defined Film-fed Growth-Grown β-Ga2O3 Bulk Crystal Investigated Using High-Resolution X-ray Diffraction and Synchrotron X-ray Topography;　2022年12月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 61, 055501著者;　Muhidul Islam Chaman, Keigo Hoshikawa, Sayleap Sdoeung, and Makoto KasuStructural characterization of defects in EFG- and HVPE-grown -Ga2O3 crystals;　2022年12月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 61, 050101著者;　Osamu Ueda, Makoto Kasu, Hirotaka Yamaguchi875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFET;　2022年12月発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 43, 5, 777著者;　N. C. Saha, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. KasuGrowth of high-quality inch-diameter heteroepitaxial diamond layers on sapphire substrates in comparison to MgO substrates;　2022年12月発表情報;　Diamond and Related Materials, 126, 109086著者;　M. Kasu, R. Takaya, S. –W. Kim3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs;　2022年12月発表情報;　IEEE Electron Dev. Lett., 43, 1303著者;　Niloy Chandra Saha , Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi , and Makoto KasuInitial growth mechanism of high-quality CVD diamond on Ir/sapphire substrate compared with Ir/MgO substrate;　2022年12月発表情報;　Diamond and Related Materials, 128, 109287著者;　Makoto Kasu, Ryota Takaya, Ryo Masaki, and Seong-Woo KimIdentification of dislocation responsible for leakage current in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes investigated via ultrahigh-sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography;　2022年12月発表情報;　Appl. Phys. Express, 15, 111001著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, and Makoto KasuProbe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2022年01月発表情報;　Appl. Phys. Lett., 120, 092101著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto KasuFabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design;　2021年12月発表情報;　Adavanced Materials, 2104564著者;　Jianbo Liang, Ayaka Kobayashi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Makoto Kasu, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru ShigekawaTwo-inch high-quality (001) diamond heteroepitaxial growth on sapphire (112 ̅0) misoriented substrate by step-flow mode;　2021年12月発表情報;　Applied Physics Express, 14, 115501著者;　Seong-Woo Kim, Ryota Takaya, Shintaro Hirano, and Makoto KasuProbe-induced surface defects: Origin of leakage current in halide vapor-phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2021年12月発表情報;　Applied Physics Express, 14, 115501著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto KasuSchottky barrier diodes fabricated on high-purity type-IIa CVD diamond substrates using an all-ion-implantation process;　2021年04月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics 60, 050903 (2021), 60, 050903著者;　Seiya Shigematsu, Toshiyuki Oishi, Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Jyoji Nakata, and Makoto KasuStacking faults: Origin of leakage current in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2021年04月発表情報;　Appl. Phys. Lett., 118, 172106著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Satoshi Masuya, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto Kasu345-MW/cm2 2608-V NO2 p-type Doped Diamond MOSFETs with an Al2O3 Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond;　2021年04月発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 42, 903-906著者;　Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Yuki Kawamata, Koji Koyama, and Makoto KasuFabrication of diamond modulation-doped FETs by NO2 delta doping in an Al2 O3 gate layer;　2021年04月発表情報;　Appl. Phys. Express 14, 051004 (2021)., 14, 051004著者;　Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, and Seong-Woo KimFabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications;　2021年01月発表情報;　Fabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications, 111, 108207著者;　Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Tianzhuo Zhan, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Kazu Katayama, Takanobu Watanabe, Hideto Yoshida, Yasuyoshi Nagai, Hongxing Wang, Makoto Kasu, Naoteru ShigekawaPolycrystalline defects—origin of leakage current—in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes identified via ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography;　2021年01月発表情報;　Polycrystalline defects—origin of leakage current—in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes identified via ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography, 14, 036502著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto KasuObservation of nitrogen species at Al2O3/NO2/H-diamond interfaces by synchrotron radiation x-ray photoemission spectroscopy;　2020年10月発表情報;　, 128, 135702著者;　Niloy Chandra Saha, Kazutoshi Takahashi, Masaki Imamura, and Makoto KasuGrowth of high-quality one-inch freestanding heteroepitaxial (001) diamond on (110) sapphire substrate;　2020年10月発表情報;　, 117, 202102著者;　Seong-Woo Kim, Yuki Kawamata, Ryota Takaya, Koji. Koyama, and Makoto Kasu145-MW/cm2 Heteroepitaxial Diamond MOSFETs With NO2 p-Type Doping and an Al2O3 Passivation Layer;　2020年08月発表情報;　IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 41, 1066 (2020)., 41, 1066著者;　Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, Seongwoo Kim, Yuki Kawamata, Koji Koyama, and Makoto KasuOrigin of reverse leakage current path in edge-defined film-fed growth (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by high　sensitive emission microscopy;　2020年08月発表情報;　Appl. Phys. Lett. 117, 022106 (2020);, 117, 022106著者;　Sayleap Sdoeung , Kohei Sasaki , Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata , Toshiyuki Oishi , and Makoto KasuTemperature coefficient of the characteristic values of the charge-accumulation-type potential-induced-degraded n-type mono-crystalline silicon photovoltaic cell;　2020年04月発表情報;　Jpn. J. Applied Phys, 59, 051001 (2020)., 59, 051001著者;　Makoto Kasu, Jaffar Abdu, Shigeomi Hara, Sung-Woo Choi, Kinichi Ogawa, Yasuo Chiba, and Atsushi MasudaFabrication of diamond/Cu direct bonding interface for power device applications;　2020年01月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics 59, SBBB03 (2020), 59, SBBB03著者;　S. Kanda, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa, and J. LiangCharacteristics change in organic photovoltaics by thermal recovery and photodegradation;　2020年01月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics 59, SCCD04 (2020), 59, SCCD04著者;　R. Sato, Y. Chiba, M. Chikamatsu, Y. Yoshida, T. Taima, M. Kasu, and A. MasudaCharacterization of Nanoscopic Cu/Diamond Interfaces Prepared by Surface-Activated Bonding: Implications for Thermal Management;　2020年01月発表情報;　Appl. Nano Materials 2020, 3, 3, 2455-2462, 3, 3, 2455著者;　J. Liang, Y. Ohno, Y. Yamashita, Y. Shimizu, S. Kanda, N. Kamiuchi, S-W Kim, K. Koyama, Y. Nagai, M. Kasu, and N. Shigekawa“Investigation of the power generation of organic photovoltaic modules connected to the power grid for more than three years;　2019年04月発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 58, 05, 052001著者;　R. Sato, Y. Chiba, M. Chikamatsu, Y. Yoshida, T. Taima, M. Kasu, and A. Masuda,Characterization of crystalline defects in β -Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth and halide vapor-phase epitaxy using synchrotron X-ray topography;　2019年04月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 58, 05, 055501著者;　S. Masuya, K. Sasaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, O. Ueda, and M. Kasu,Temperature dependence of potential-induced degraded p-type mono-crystalline silicon photovoltaic cell characteristics;　2019年04月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics vol.58, pp.101005 (2019)., 58, 101005著者;　M. Kasu, J. Abdu, S. Hara, S. Choi, K. Ogawa, Y. Chiba, A. MasudaOutput power behavior of passivated emitter and rear cell photovoltaic modules during early installation stage: influence of light-induced degradation;　2019年04月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics vol.58, pp. 106510 (2019)., 58, 106510著者;　R. Sato, T. Ishii, S. Choi, Y. Chiba, M. Kasu, and A. MasudaEpitaxial lateral overgrowth alpha-GaO3 by Halide Vapor Epiaxy;　2019年02月発表情報;　APL. Mater, 7, 022503著者;　Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, and S. FujitaStability of diamond Si bonding interface during device fabrication process;　2019年01月発表情報;　Applied Physics Express, 12, 01, 016501)著者;　J. Liang, S. Masuya, S. –W. Kim, T. Oishi, M. Kasu, N. Shigekawa,Heterointerface properties of diamond MOS structures studied using capacitance–voltage and conductance–frequency measurements;　2019年01月発表情報;　Diamond and Related Materials, 91, 219–224著者;　Niloy Chandra Saha, M. KasuImprovement of the Al2O3NO2H-diamond MOS FET by using Au gate;　2019年01月発表情報;　Diamond and Related Materials, 92, 81–85著者;　Niloy Chandra Saha, Makoto Kasu,Temperature dependence measurements and performance analyses of high-efficiency interdigitated back-contact, passivated emitter and rear cell, and silicon heterojunction photovoltaic modules;　2018年08月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics 57,08RG18 (2018)., 57, 08., 08RG18著者;　M. Kasu, J. Abdu, S. Hara, Y. Chiba, A. Masuda,Dislocations in chemical vapor deposition (111) single crystal diamond observed by synchrotron X-ray topography and their relation with etch pits;　2018年04月発表情報;　Diamond and Related Materials, 90, 40-46著者;　S. Masuya, M. Kasu,Band Alignment of Al2O3 Layer Deposited NO and SO2;　2018年04月発表情報;　Phys. Status Solidi, A 2018, 18, 1800237著者;　Saha Niloy Chandra, M. KasuReduction of dislocation densities in single crystal CVD diamond by confinement in the lateral sector;　2018年03月発表情報;　Diamond and Related Materials, 83, 162-169著者;　A. Boussadi, A. Tallaire, M. Kasu, J. Barjon, J. Achard,Crystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on β-Ga2O3;　2017年09月発表情報;　apanese Journal of Applied Physics, 56, 091101著者;　M. Kasu, T. Oshima, K. Hanada, T. Moribayashi, A. Hashiguchi, T. Oishi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, and O. Ueda,Carrier confinement observed at modulation-doped β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 heterojunction interface;　2017年05月発表情報;　, 10, 03, 035701.著者;　T. Oshima, Y. Kato, N. Kawano, T. Oishi, M. KasuEpitaxial growth of γ-(Alx Ga1-x )O3 alloy films for band-gap engineering;　2017年05月発表情報;　Applied Physics Express 10, 051104 (2017)., 10, 05, 051104著者;　T. Oshima, Y. Kato, M. Oda, T. Hitora, M. KasuFormation of stacking fault and dislocation behavior during the high temperature annealing of single-crystal HPHT diamond;　2017年04月発表情報;　Dia. Rel. Mater., 75, 155–160著者;　S. Masuya, K. Hanada, T. Oshima, H. Sumiya, M. KasuElectrical properties of Schottky barrier diodes fabricated on (001) β-Ga2O3 substrates with crystal defects;　2017年04月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 56, 086501著者;　T. Oshima, A. Hashiguchi, T. Moribayashi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, T. Oishi, and M. KasuCrystal defects observed by the etch-pit method and their effects on Schottky-barrier-diode characteristics on β-Ga2O3;　2017年04月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 56, 091101著者;　M. Kasu, T. Oshima, K. Hanada, T. Moribayashi, A. Hashiguchi, T. Oishi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, and O. UedaDiamond field-effect transistors for RF power electronics: Novel NO2 hole doping and low-temperature deposited Al2O3 passivation;　2017年01月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 56, 1, 01AA01著者;　Makoto KasuDiamond Schottky Barrier Diodes With NO2 Exposed Surface and RF-DC Conversion Toward High Power Rectenna;　2017年01月発表情報;　IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 38, 1, 87著者;　Toshiyuki Oishi, Naoto Kawano, Satoshi Masuya, and Makoto KasuRelationship between crystal defects and leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2016年12月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 1202BB著者;　M. Kasu, K. Hanada, T. Moribayashi, A. Hashiguchi, T. Oshima, T. Oishi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, and O. UedaStructural evaluation of defects in β-Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth process;　2016年12月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 1202BD著者;　O. Ueda N. Ikenaga, K. Koshi, K. Iizuka, A. Kuramata, K. Hanada, T. Moribayashi, S. Yamakoshi, and M. KasuOrigins of etch-pits in (010) β-Ga2O3 single crystals;　2016年12月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 1202BG著者;　K Hanada, T. Moribayashi, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, and M. Kasu,Diamond epitaxy: basics and applications;　2016年08月発表情報;　Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, 62, 317–328著者;　Makoto Kasu“Estimation method of solar cell temperature using meteorological data in mega solar power plant;　2016年08月発表情報;　IEEE Journal of Photovoltaics, 6, 1255著者;　S. Hara, M. Kasu, and N. Matsui,Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga2O3;　2016年08月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 1202B7著者;　Takayoshi Oshima, Ryo Wakabayashi, Mai Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, Kohei Sasaki, Takekazu Masui, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo, Toshiyuki Oishi and Makoto KasuObservation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown β-Ga2O3 single crystals;　2016年04月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 030303著者;　K. Hanada, T. Moribayashi, T. Uematsu, S. Masuya, K. Koshi, K. Sasaki, A. Kuramata, O. Ueda, and M. KasuStudy on conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes;　2016年04月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 3, 030305著者;　T. Oishi, K. Harada, Y. Koga, and M. Kasu“Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer;　2016年04月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 041301著者;　M. Kasu, K. Hirama, K. Harada, and T. Oishi,Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO2 hole doping and Al2O3 gate insulator layer;　2016年02月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 4, 041301著者;　M. Kasu, K. Hirama, K. Harada, and T. OishiDetermination of the type of stacking faults in single-crystal high-purity diamond with a low dislocation density of Observation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown β-Ga2O3 single crystalsUematsu, Satoshi Masuya, Kimiyoshi Koshi, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Osamu Ueda, and Makoto Kasu;　2016年01月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 3, 030303著者;　Kenji Hanada, Tomoya Moribayashi, Takumi Uematsu, Satoshi Masuya, Kimiyoshi Koshi, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Osamu Ueda, and Makoto KasuStudy on conduction mechanism in highly doped -Ga2O3 (2̅ 0 1) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes;　2016年01月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 55, 3, 030305著者;　Toshiyuki Oishi, Kazuya Harada, Yuta Koga, and Makoto KasuHigh-mobility β-Ga2O3(-201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes with Ni contact;　2015年01月発表情報;　Applied Physics Express, 8, 3, 031101著者;　大石敏之、古賀優太、原田和也、嘉数　誠Synchrotron X-ray topography of dislocations in high-pressure high-temperature-grown single-crystal diamond with low dislocation density;　2014年11月発表情報;　Applied Physics Express, 7, 12, 125501-125501著者;　M. Kasu, R. Murakami, S. Masuya, K. Harada, and H. SumiyaElectronic states of NO2-exposed H-terminated diamond/Al2O3 heterointerface studied by synchrotron radiation photoemission and X-ray absorption spectroscop;　2014年04月発表情報;　APPLIED PHYSICS LETTERS, 104, 7, 072101-072101著者;　K. Takahashi, M. Imamura, K. Hirama, and M. Kasu Maximum hole concentration for Hydrogen-terminated diamond surfaces with various surface orientations obtained by exposure to highly concentrated NO 2;　2013年10月発表情報;　Diamond and Related Materials, 31, 47-49著者;　H. Sato, M. Kasu Carrier Gas Dependent Evaporation Energy of GaN Estimated from Spiral Growth Rates in Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy;　2013年09月発表情報;　Appl. Phys. Express, 6, 105501著者;　T. Akasaka, Y. Kobayashi, M. Kasu, H. Yamamoto, Mechanism of hole doping into hydrogen terminated diamond by the adsorption of inorganic molecule;　2013年発表情報;　Surface Science, 609, 203-206著者;　Y. Takagi, K. Shiraishi, Makoto Kasu, and H. Sato,Epitaxial growth of AlGaN/GaN high-electron mobility transistor structure on diamond (111) surface;　2012年10月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 51, 090114著者;　K. Hirama, Y. Taniyasu, M. KasuEfficient structure for deep-ultraviolet light-emitting diodes with high emission efficiency: A first-principles study of AlN/GaN superlattice;　2012年10月発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 51, 02BJ11著者;　K. Kamiya, Y. Ebihara, M. Kasu, K. ShiraishiThermal stabilization of hole channel on H-terminated diamond surface by using atomic-layer-deposited AL 2O 3 overlayer and its electric properties;　2012年10月発表情報;　Applied Physics Express, 5, 2, 025701著者;　M. Kasu, H. Sato, K. Hirama Polarization property of deep-ultraviolet light emission from C-plane AlN/GaN short-period superlattices;　2012年10月発表情報;　Applied Physics Letters,, 99, 25, 251112著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu“Thermal Stabilization of Hole Channel on H-Terminated Diamond Surface by Using Atomic-Layer-Deposited Al2O3 Overlayer and its Electric Properties”;　2012年発表情報;　Appl. Phys. Express, 5, 025701-025701.著者;　M. Kasu, H. Sato, and K. Hirama Growth and Device Properties of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors on a Diamond Substrate;　2012年発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 51, 01AG09- 01AG09著者;　K. Hirama, M. Kasu, and Y. Taniyasu,RF High-Power Operation of AlGaN/GaN HEMTs Epitaxially Grown on Diamond;　2012年発表情報;　IEEE Electron Device Lett., 33, 513-515著者;　K. Hirama, M. Kasu, and Yoshitaka TaniyasuElectronic properties of H-terminated diamond during NO2 and O3 adsorption and desorption;　2012年発表情報;　Diamond and Related Materials, 24, 99-103著者;　H. Sato and M. Kasu Thermally Stable Operation of H-Terminated Diamond FETs by NO2 Adsorption and Al2O3 Passivation;　2012年発表情報;　IEEE Electron Device Lett., 33, 1111-1113著者;　K. Hirama, H. Sato, Y. Harada, and H. Yamamoto, and M. Kasu Diamond Field-Effect Transistors with 1.3A/mm Drain Current Density by Al2O3 Passivation Layer;　2012年発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 51, 090112-090112著者;　K. Hirama, H. Sato, Y. Harada, H. Yamamoto, and M. Kasu,Electroluminescence and capacitance-voltage characteristics of singlecrystal n-type AlN (0001) /p-type diamond (111) heterojunction diodes;　2011年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 98, 011908著者;　K. Hirama, Y. Taniyasu, M. Kasu“Structural design of AlN/GaN superlattices for deep-ultraviolet light-emitting diodes with high emission efficiency”,;　2011年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 2011, 151108-151108著者;　K. Kamiya, Y. Ebihara, K. Shiraishi, and M. Kasu, Coherent coupling of a superconducting flux qubit to an electron spin ensemble in diamond;　2011年発表情報;　Nature, 478, 221-224著者;　Xiaobo Zhu, Shiro Saito, Alexander Kemp, Kosuke Kakuyanagi, Shin-ichi Karimoto, Hayato Nakano, William J. Munro, Yasuhiro Tokura, Mark S. Everitt Kae Nemoto, Makoto Kasu, Norikazu Mizuochi and Kouichi Semba,Hexagonal AlN(0001) heteroepitaxial growth on cubic diamond (001);　2010年発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 49, 04DH01著者;　K. Hirama, Y. Taniyasu, M. KasuHigh temperature operation of boron-implanted diamond field-effect transistors;　2010年発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 49, 04DF16著者;　K. Ueda and M. KasuElectronic and surface properties of H-terminated diamond surface affected by NO2 gas;　2010年発表情報;　Diamond and Related Materials, 19, 889-893著者;　M. Kubovic, M. Kasu, H. Kageshima, F. Maeda,Supersaturation in nucleus and spiral growth in metal organic vapor phase epitaxy;　2010年発表情報;　Appl. Phys. Lett, 94, 141902著者;　T. Akasaka, Y. Kobayashi, and M. KasuSorption properties of NO2 gas and its strong influence on hole concentration of H-terminated diamond surfaces;　2010年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 96, 052101著者;　M. Kubovic, M. Kasu, H. KageshimaHeterostructure growth of a single-crystal hexagonal AlN (0001) layer on cubic diamond (111) surface;　2010年発表情報;　J. Appl. Phys., 108, 013528著者;　K. Hirama, Y. Taniyasu, M. KasuSurface 210-nm light emission from AlN p-n junction light-emitting diode by A-plane growth orientation;　2010年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 96, 221110著者;　Y. Taniyasu and M. KasuNucleus and spriral growth mechanisms of GaN studied by using selective-area metalorganic vapor phase epitaxy;　2010年発表情報;　Appl. Phys. Express, 3, 075602著者;　T. Akasaka, Y. Kobayashi, M. KasuEnhancement and stabilization of hole concentration of hydrogen-terminated diamond surface using ozone adsorbates;　2010年発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 49, 110208著者;　M. Kubovic and M. KasuArsenic-doped n-type diamond grown by microwave-assisted plasma chemical vapor deposition;　2010年発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 49, 110209著者;　M. Kasu and M. KubovicBeryllium-doped single-crystal diamond grown by microwave plasma CVD;　2009年発表情報;　Diamond and Related Materials, 18, 121-123著者;　K. Ueda and M. KasuMOVPE growth of hexagonal aluminium nitride on cubic diamond;　2009年発表情報;　J. Crystal Growth, 311, 2825-2830著者;　Y. Taniyasu and M. KasuLow-temperature characteristics of the current gain of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors;　2009年発表情報;　J. Crystal Growth, 311, 3000-3002著者;　A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu, and T. MakimotoMolecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni (111) substrate;　2009年発表情報;　J. Crystal Growth, 311, 3054-3057著者;　C. L. Tsai, Y. Kobayashi, T. Akasaka, and M. KasuStructural and electrical properties of hydrogen-terminated diamond field-effect transistor;　2009年発表情報;　Diamond and Related Materials, 18, 796-799著者;　M. Kubovic, M. Kasu, Y. Yamauchi, K. Ueda, and H. KageshimaIdentification of etch-pit crystallographic faces induced on diamond surface by H2/O2 etching plasma treatment;　2009年発表情報;　Phys. Status Solidi A, 206, 1949-1954著者;　J. Achard, F. Silva, O. Brinza, X. Bonnin, V. Lille., R. Issaoui, M. Kasu, A. Gicquel,Improvement of hydrogen-terminated diamond FETs in nitrogen dioxide atmosphere;　2009年発表情報;　Appl. Phys. Express, 2, 086502著者;　M. Kubovic and M. KasuOrigin of Schottky barrier modification by hydrogen on diamond;　2009年発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 48, 111602著者;　H. Kageshima and M. KasuPhotoluminescence of highly excited AlN: biexcitons and exciton-exciton scattering;　2009年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 95, 031903著者;　R. A. R. Leute, M. Feneberg, R. Sauer, K. Thonke, S. B. Thapa, F. Scholz, Y. Taniyasu, and M. KasuStep-free GaN hexagons grown by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy;　2009年発表情報;　Appl. Phys. Express, 2, 091002著者;　T. Akasaka, Y. Kobayashi, M. KasuHigh-temperature (300 �C) operation of npn -type GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors;　2008年07月発表情報;　Physica Status Solidi (c), 5, 9, 2957-2959著者;　A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu and T. MakimotoDiamond RF FETs and other approaches to electronics;　2008年07月発表情報;　Physica Status Solidi (c), 5, 9, 3165-3168著者;　M. Kasu, K. Ueda, H. Kageshima and Y. TaniyasuDiamond FETs on boron-implanted and high-pressure and high-temperature annealed homoepitaxial diamond;　2008年07月発表情報;　Physica Status Solidi (c), 5, 9, 3175-3177著者;　Kenji Ueda, Yoshiharu Yamauchi and Makoto KasuAnisotropic in-plane strains in nonpolar AlN and AlGaN (11-20) films grown on SiC (11-20) substrates;　2008年発表情報;　Applied Physics Letters, 93, 161908著者;　T. Akasaka, Y. Kobayashi, and M. KasuRF equivalent-circuit analysis of p-type diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination;　2008年発表情報;　IEICE Transactions on Electronics, E91C, 1042-1049著者;　M. Kasu, K. Ueda, H. Kageshima, and Y. YamauchiOrigin of growth defects in CVD diamond epitaxial films;　2008年発表情報;　Diamond and Related Materials, 17, 60-65著者;　A. Tallaire, M. Kasu, K. Ueda, and T. MakimotoHigh-pressure and high-temperature annealing effects of boron-implanted diamond;　2008年発表情報;　Diamond and Related Materials, 17, 502-505著者;　K. Ueda and M. KasuThick diamond layers angled by polishing to reveal defect and impurity depth profiles;　2008年発表情報;　Diamond and Related Materials, 17, 506-510著者;　A. Tallaire, M. Kasu, and K. UedaGate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors;　2008年発表情報;　Diamond and Related Materials, 17, 741-744著者;　M. Kasu, K. Ueda, and Y. YamauchiHigh-pressure and high-temperature annealing of diamond ion-implanted with various elements;　2008年発表情報;　Diamond and Related Materials, 17, 1269-1272著者;　K. Ueda and M. KasuAluminum nitride deep-ultraviolet light-emitting p-n junction diodes;　2008年発表情報;　Diamond and Related Materials, 17, 1273-1277著者;　Y. Taniyasu and M. KasuHigh-temperature characteristics of AlxGa1-xN-based vertical conducting diodes;　2008年発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 47, 2838-2840著者;　A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu, and T. MakimotoGate capacitance-voltage characteristics of submicron-long-gate diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination;　2007年発表情報;　Applied Physics Letters, 90, 043509著者;　M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, and T. MakimotoHigh-pressure and high-temperature annealing as an activation method for ion-implanted dopants in diamond;　2007年発表情報;　Applied Physics Letters, 90, 122102著者;　K. Ueda, M. Kasu, and T. MakimotoRadiation and polarization properties of free-exciton emission from AlN (0001) surface;　2007年発表情報;　Applied Physics Letters, 90, 261911著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. MakimotoThreading dislocations in heteroepitaxial AlN layer grown by MOVPE on SiC (0001) substrate;　2007年発表情報;　J. Crystal Growth, 298, 310-315著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. MakimotoCathodoluminescence, photoluminescence, and reflectance study of an aluminum nitride layer grown on silicon carbide substrate;　2007年発表情報;　J. Applied Physics, 101, 023511著者;　G. M. Prinz, A. Ladenburger, M. Schirra, M. Feneberg, K. Thonke, R. Sauer, Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. MakimotoDiamond-based RF power transistors: Fundamentals and applications;　2007年発表情報;　Diamond and Related Materials, 16, 1010-1015著者;　M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, A. Tallaire, and T. MakimotoHigh RF output power for H-terminated diamond FETs;　2006年発表情報;　Diamond and Related Materials, 15, 783-786著者;　M. Kasu, K. Ueda, H. Ye, Y. Yamauchi, S. Sasaki, and T. MakimotoTemperature dependent DC and RF performance of diamond MESFET;　2006年発表情報;　Diamond and Related Materials, 15, 787-791著者;　H. Ye, M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, N. Maeda, S. Sasaki, and T. MakimotoHigh-pressure and high-temperature annealing effect of CVD homoepitaxial diamond films;　2006年発表情報;　Diamond and Related Materials, 15, 1789-1791著者;　K. Ueda, M. Kasu, A. Tallaire, Y. Yamauchi, and T. MakimotoCharacterization of high-quality poly-crystalline diamond and its high FET performance;　2006年発表情報;　Diamond and Related Materials, 15, 1954-1957著者;　K. Ueda, M. Kasu, Y. Yamauchi, T. Makimoto, M. Schwitters, D. J. Twitchen, G. A. Scarsbrook, and S. E. CoeDiamond FET using high-quality polycrystalline diamond with fT of 45 GHz and fmax of 120 GHz;　2006年発表情報;　IEEE Electron Device Letters, 27, 570-572著者;　K. Ueda, M. Kasu, Y. Yamauchi, T. Makimoto, M. Schwitters, D. J. Twitchen, G. A. Scarsbrook, and S. E. CoeIncreased electron mobility in n-type Si-doped AlN by reducing dislocation density;　2006年発表情報;　Applied Physics Letters, 89, 182112著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. MakimotoAn aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres;　2006年発表情報;　Nature, 441, 325-328著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. MakimotoInfluence of lattice constants of GaN and InGaN on Npn-type GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors;　2006年発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 45, 3395-3397著者;　T. Makimoto, T. Kido, K. Kumakura, Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. MatsumotoStrained thick p-InGaN layers for GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors on sapphire substrates;　2005年発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 44, 2722-2725著者;　T. Makimoto, Y. Yamauchi, T. Kido, K. Kumakura, Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Matsumoto,2 W/mm output power density at 1 GHz for diamond FETs;　2005年発表情報;　Electronics Letters, 41, 1249-1250著者;　M. Kasu, K. Ueda, H. Ye, Y. Yamauchi, S. Sasaki, and T. Makimoto,Field emission properties of heavily Si-doped AlN in triode-type display structure;　2004年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 84, 2115-2117著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. MakimotoElectrical conduction properties of n-type Si-doped AlN with high electron mobility ( > 100 cm2 V-1 s-1);　2004年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 85, 4672-4674著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. MakimotoInfluence of epitaxy on the surface conduction of diamond film;　2004年発表情報;　Diamond and Related Materials, 13, 226-232著者;　M. Kasu, M. Kubovic, A. Aleksov, N. Teofilov, Y. Taniyasu, R. Sauer, E. Kohn, T. Makimoto, and N. KobayashiMicrowave performance evaluation of diamond surface channel FETs;　2004年発表情報;　Microwave performance evaluation of diamond surface channel FETs, 13, 802-807著者;　M. Kubovic, M. Kasu, I. Kallfass, M. Neuburger, A. Aleksov, G. Koley, M. G. Spencer, and E. KohnProperties of (111) diamond homoepitaxial layer and its application to field-effect transistor;　2004年発表情報;　Japanese Journal of Applied Physics, 43, L975-L977著者;　M. Kasu, M. Kubovic, A. Aleksov, N. Teofilov, R. Sauer, E. Kohn, and T. MakimotoHigh electron concentrations in Si-doped AlN/AlGaN superlattices with high average Al content of 80%;　2003年発表情報;　Phys. Stat. Sol. (a), 200, 40-43著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, K. Kumakura, T. Makimoto, and N. KobayashiTriode-type basic display structure using Si-doped AlN field emitters;　2003年発表情報;　Phys. Stat. Sol. (a), 200, 199-201著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto, and N. KobayashiFormation of stacking faults containing microtwins in (111) chemical-vapor-deposited diamond homoepitaxial layers;　2003年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 83, 3465-3467著者;　M. Kasu, T. Makimoto, W. Ebert, and E. KohnHigh mobility and high crystalline-quality chemical-vapor-deposition grown homoepitaxial diamond;　2003年発表情報;　Diamond and Related Materials, 12, 413-417著者;　M. Kasu and N. KobayashiReduction of threading dislocations in crack-free AlGaN by using multiple thin SixAl1-xN interlayers;　2003年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 83, 4140-4142著者;　T. Akasaka, T. Nishida, Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. MakimotoIntentional control of n-type conduction for Si-deoped AlN and AlxGa1-xN (0.42Intentional control of n-type conduction for Si-doped AlN and AlxGa1-xN with high Al content;　2002年発表情報;　Physica Status Solidi (B), 234, 845-849著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. KobayashiHigh hole mobility (1300cm2/Vs) at room temperature in hydrogen-terminated (001) diamond;　2002年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 80, 3961-3963著者;　M. Kasu and N. KobayashiSpontaneous ridge-structure formation and large field emission of heavily Si-doped AlN;　2001年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 78, 1835-1837著者;　M. Kasu and N. KobayashiField emission characteristics and large current density of heavily Si-doped AlN and AlxGa1-xN (0.38Lattice parameters of wurtzite Al1-xSixN ternary alloy;　2001年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 79, 4351-4353著者;　Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. KobayashiFormation of solid solution of Al1-xSixN (0Spontaneous ridge formation and its effect on field emission of heavily Si-doped AlN;　2001年発表情報;　Physica Status Solidi (a), 188, 779-782著者;　M. Kasu and N. KobayashiLarge and stable field emission current from heavily Si-doped AlN grown by metalorganic vapor phase epitaxy;　2000年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 76, 2910-2912著者;　M. Kasu and N. KobayashiLarge electron field emission from high-quality heavily Si-doped AlN grown by MOVPE;　2000年発表情報;　J. Crystal Growth, 221, 739-742著者;　M. Kasu and N. KobayashiNitrogen radical adsorption on InAs (001) surface studied by scanning tunneling microscopy and x-ray photoelectronic spectroscopy;　1998年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 73, 3754-3756著者;　M. Kasu, N. Kobayashi, H. Tanaka, and O. MikamiSelectivity mechanism of all-UHV STM-based selective area growth;　1998年発表情報;　Appl. Surf. Sci., 130, 452-456著者;　M. Kasu, T. Makimoto, and N. KobayashiIn-situ STM observation of GaAs surfaces after nitridation;　1997年発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 36, 1733-1735著者;　T. Makimoto, M. Kasu, J. L. Benchmol, and N. KobayashiNanoscale patterning and selective growth of GaAs surfaces by ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy;　1997年発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 36, 3821-3826著者;　M. Kasu, T. Makimoto, and N. KobayashiSelective-area GaAs growth using nitrogen passivation and scanning tunneling microscopy modification in a nanometer scale;　1997年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 70, 1161-1163著者;　M. Kasu, T. Makimoto, and N. KobayashiSurface diffusion kinetics of GaAs and AlAs metalorganic chemical vapor epitaxy;　1997年発表情報;　J. Crystal Growth, 170, 246-250著者;　M. Kasu and N. KobayashiNanometer-scale selective area growth on nitrogen-passivated surface using STM and MOMBE;　1997年発表情報;　J. Crystal Growth, 173, 589-591著者;　M. Kasu, T. Makimoto, and N. KobayashiSurface kinetics of metalorganic chemical vapor epitaxy -surface diffusion, nucleus formation, sticking at steps-;　1997年発表情報;　J. Crystal Growth, 174, 513-521著者;　M. Kasu and N. KobayashiAnisotropic surface morphology of GaAs (001) surfaces passivated with nitrogen radicals;　1996年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 68, 955-957著者;　M. Kasu and N. KobayashiScanning tunneling microscopy modification of nitrogen-passivated GaAs (001) surfaces on a nanometer scale;　1996年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 68, 1811-1813著者;　M. Kasu, T. Makimoto, and N. KobayashiSurface diffusion of AlAs on GaAs in metalorganic chemical vapor-phase epitaxy studied by high-vacuum scanning tunneling microscopy;　1995年発表情報;　J. Appl. Phys., 78, 3026-3035著者;　M. Kasu and N. KobayashiSurface diffusion of AlAs on GaAs in metalorganic chemical vapor-phase epitaxy studied by high-vacuum scanning tunneling microscopy;　1995年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 67, 2842-2844著者;　M. Kasu and N. KobayashiScanning tunneling microscopy study of GaAs step structures on vicinal substrate grown by metalorganic chemical vapor deposition;　1994年発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 33, 712-715著者;　M. Kasu and N. KobayashiObservation of GaAs (001) surface at high temperatures by scanning tunneling microscopy;　1993年発表情報;　J. Crystal Growth, 127, 1064-1067著者;　H. Yamaguchi, M. Kasu, T. Sueyoshi, T. Sato, and M. IwatsukiEquilibrium multiatomic step structure of GaAs (001) vicinal surfaces grown by metalorganic chemical vapor deposition;　1993年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 62, 1262-1264著者;　M. Kasu and N. KobayashiMulti-atomic steps on metalorganic chemical vapor deposition-grown GaAs vicinal surfaces studied by atomic force microscopy;　1992年発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 31, L864-L866著者;　M. Kasu and T. FukuiPolarized photoluminescence of fractional layer superlattices;　1992年発表情報;　Surface Science, 267, 300-303著者;　M. Kasu, H. Ando, H. Saito, and T. FukuiFractional layer superlattices grown by MOCVD and their device application;　1992年発表情報;　J. Crystal Growth, 124, 493-496著者;　T. Fukui, K. Tsubaki, H. Saito, M. Kasu, and T. HondaAnisotropy in photoluminescence and absorption spectra of fractional layer superlattices;　1991年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 59, 301-303著者;　M. Kasu, H. Ando, H. Saito, and T. FukuiPhotoluminescence lifetime of AlAs/GaAs disordered superlattices;　1991年発表情報;　Appl. Phys. Lett., 59, 800-802著者;　M. Kasu, T. Yamamoto, S. Noda, and A. SasakiDX centers in AlxGal-xAs bulk alloy, AlAs/GaAs ordered and disordered superlattices;　1991年発表情報;　J. Electron. Materials, 20, 691-693著者;　M. Kasu, R. Rao, S. Noda, and A. SasaskiStep-density dependence of growth rate on vicinal surface of MOCVD;　1991年発表情報;　J. Crystal Growth, 115, 406-410著者;　M. Kasu, H. Saito, and T. Fukui Photoluminescent properties and optical absorption of AlAs/GaAs disordered superlattices;　1990年発表情報;　J. Appl. Phys., 68, 5318-5323著者;　T. Yamamoto, M. Kasu, S. Noda, and A. SasakiOptical properties of disordered superlattices;　1990年発表情報;　J. Electron. Materials, 19, 11-12著者;　A. Sasaki, M. Kasu, and S. NodaPhotoluminescent properties of AlAs/AlxGa1-xAs (x=0.5) disordered superlattices;　1990年発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1055-L1058著者;　M. Kasu, T. Yamamoto, S. Noda, and A. SasakiElectroluminescence of AlAs/GaAs disordered superlattices;　1990年発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1588-L1590著者;　M. Kasu, T. Yamamoto, S. Noda, and A. SasakiAbsorption spectra and photoluminescent processes of AlAs/GaAs disordered superlattices;　1990年発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 29, 828-834著者;　M. Kasu, T. Yamamoto, S. Noda, and A. SasakiProposal and experimental results of disordered crystalline semiconductors;　1989年発表情報;　Jpn. J. Appl. Phys., 28, L1249-L1251著者;　佐々木昭夫、嘉数　誠、山本悌二、野田　進資料・解説・論説・研究報告・総合雑誌の論文ダイヤモンド半導体;　2022年02月発表情報;　學士會会報著者;　嘉数　誠ダイヤモンドパワー半導体デバイスの高出力化成功　5年後実用化に照準合わす;　2021年11月発表情報;　ダイヤモンドパワー半導体デバイスの高出力化成功　5年後実用化に照準合わす, 972著者;　嘉数　誠ダイヤモンドウェハおよびトランジスタ技術の最近の進展;　2021年11月発表情報;　かがやき, 33著者;　嘉数　誠パワー半導体デバイス応用を目指したダイヤモンド，酸化ガリウムのシンクロトロンX 線トポグラフィー観察;　2020年01月発表情報;　放射光学会Nov. 2019 Vol.32 No.6、285-291, 32, 6, 285著者;　嘉数　誠、桝谷聡士資源問題と表面科学;　2014年12月発表情報;　表面科学, 35, 12著者;　嘉数　誠シンクロトロン光・X線トポグラフィーを用いたダイヤモンド単結晶の転位の同定;　2014年04月発表情報;　ニューダイヤモンド, 30, 4, 113-116著者;　嘉数 誠、村上竜一、桝谷聡士 ダイヤモンド結晶成長：パワーデバイス応用への現状と課題;　2012年12月発表情報;　結晶成長学会誌, 39, 4, 6著者;　嘉数　誠、平間 一行、佐藤寿志 NO2及びO3吸着による水素終端ダイヤモンド表面での正孔生成;　2012年10月発表情報;　表面科学, 33, 10, 575著者;　嘉数　誠、佐藤寿志、M. Kubovic、前田文彦CVD 単結晶ダイヤモンドの異常成長粒子、転位、不純物ドーピングの機構;　2012年04月発表情報;　結晶成長学会誌, 39, 4, 38-42著者;　嘉数　誠一般講演（学術講演を含む）ダイヤモンドMOSFET の高速(ダイヤモンドMOSFET の長時間(190h)ストレス測定;　2023年03月発表情報;　17a-A301-9、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月17日著者;　ニロイチャンドラサハ, 白土智基，金 聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数 誠ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器のα線特性;　2023年03月発表情報;　16a-D311-10, 2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月16日著者;　入江 優雅, 人見啓太朗, 野上光博，金 聖祐，小山浩司，ニロイ チャンドラ サハ高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンX 線トポグラフィーによるHVPE (001)型酸化ガリウムSBD のリーク電流の起源になるキラー欠陥の同定;　2023年03月発表情報;　15p-E102-15、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月15日著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Makoto Kasu(011)面方位 HVPEβ型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの高感度エミッション顕微鏡とシンクロトロンＸ線トポグラフィによるキラー欠陥の同定;　2023年03月発表情報;　15p-E102-16、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月15日著者;　大坪 優斗、スダーン セイリープ、佐々木 公平、倉又 朗人、嘉数 誠ダイヤモンドMOSFETの高速(ダイヤモンドMOSFETの長時間(190h)ストレス特性;　2023年03月発表情報;　電子通信情報学会総合大会C-10-7、さいたま、2023年3月9日著者;　白土智基・Niloy Saha・Seongwoo Kim・小山浩司・大石敏之・嘉数　誠3659 V 0.37 A/mm NO2-doped p-channel Diamond MOSFETs fabricated on diamond grown on misoriented sapphire substrates;　2022年11月発表情報;　The 2022 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Nov. 27- Dec. 2, 2022, Boston著者;　Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, and Makoto KasuGrowth process of high-quality 2-in-diameter CVD diamond on Ir/sapphire substrate compared with Ir/MgO substrate;　2022年11月発表情報;　The 2022 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting, Nov. 27- Dec. 2, 2022, Boston著者;　Makoto Kasu, Ryo Masaki, Koji Koyama, and Seong-Woo Kimインチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の格子歪発生のメカニズム－サファイア基板とMgO基板の比較－;　2022年10月発表情報;　第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）、2022年10月31日－11月2日著者;　嘉数 誠，眞崎 瞭，高谷亮太，小山浩司，金 聖祐インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の成長初期過程の観察－サファイア基板とMgO基板の比較－;　2022年10月発表情報;　第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）、2022年10月31日－11月2日著者;　嘉数 誠，眞崎 瞭，高谷亮太，小山浩司，金 聖祐Dislocation Responsible for Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBD Observed by Emission Microscopy and Synchrotron X-ray Topography;　2022年10月発表情報;　The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nanano, October 23 – 27, 2022著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto KasuHigh Quality Vertical Bridgman and Edge-Defined Film-Fed Growth β-Ga2O3 Bulk Crystal Investigated Using High-Resolution X-Ray Diffraction and Synchrotron X-Ray Topography;　2022年10月発表情報;　The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nanano, October 23 – 27, 2022著者;　Muhidul Islam Chaman, Keigo Hoshikawa, Sayleap Sdoeung, and Makoto KasuCrystal Defects and Lattice Constants of High-Quality β-Ga2O3 Edge-Defined Film-Fed Grown Single Crystals Studied by Synchrotron X-ray Topography and High-Resolution X-Ray Diffractions;　2022年10月発表情報;　The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nanano, October 23 – 27, 2022著者;　Muhidul Islam Chaman, Sayleap Sdoeung, and Makoto KasuMicrostructural Characterization of β-Ga2O3 Crystals by Photoluminescence Mapping Measurements;　2022年10月発表情報;　Pos 2-04, The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022) Nanano, October 23 – 27, 2022著者;　K. Shoji, M. Nakanishi, M. Kasu, T. Yamaguchi, T. Honda, K. Sasaki, A. Kuramata, and T. Onuma傾斜サファイア基板上に成長したダイヤモンドウェハの高品質化;　2022年09月発表情報;　秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20－23日著者;　ジャック ダグベト， 小山浩司， 嘉数 誠，金 聖祐ヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器の作製;　2022年09月発表情報;　著者;　入江優雅, 人見啓太朗, 野上光博, 中山 隼，金 聖祐，小山浩司，ニロイ チャンドラ サハ, 嘉数 誠インチ径高品質CVDダイヤモンドエピ膜の成長初期過程－サファイア基板とMgO基板の比較－;　2022年09月発表情報;　秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20－23日著者;　眞崎 瞭，高谷亮太，小山浩司，金 聖祐，嘉数 誠B イオン注入のみで作製した ダイヤモンドショットキーバリアダイオード;　2022年09月発表情報;　秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20－23日著者;　関 裕平 ，重松誠也, 大石敏之, 嘉数 誠, 星野 靖, 中田穣治3659 V, 0.37 A /mm微傾斜ダイヤモンド上に作製したNO2ドープダイヤモンドMOSFET;　2022年09月発表情報;　秋季応用物理学会、仙台、2022年9月20－23日著者;　ニロイ チャンドラ サハ, 金 聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数 誠High On/Off Rectification Ratio of Diamond Schottky Barrier Diode Fabricated by All-Ion-Implantation Doping;　2022年09月発表情報;　32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022著者;　N. C. Saha, Irie, Seki, Nakata, Hoshino, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu,875 MW/cm2 NO2-p-Type-Doped Diamond MOSFETs;　2022年09月発表情報;　32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022著者;　Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, and Toshiyuki OishiGrowth mechanism of high-quality inch-diameter diamond layers on sapphire substrates in comparison to MgO substrates;　2022年09月発表情報;　32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022著者;　Makoto Kasu, Ryota Takaya, Ryo Masaki, and Seong-Woo Kim3326 V 0.42 A/mm Modulation-Doped Diamond MOSFETs Fabricated via NO2 Delta Doping in Al2O3 Gate Layer;　2022年09月発表情報;　32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), Marid, Sep 4-8, 2022著者;　M. Kasu, N.C. Saha, S.-W. Kim, and T. Oishi820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V modulation-doped diamond MOSFET;　2022年06月発表情報;　15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2022), Kanazawa, June 6-9, 2022著者;　Niloy Chandra Saha, Seong Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu875 MW/cm2 2568 V 0.68 A/mm NO2 P-type Doped Diamond MOSFETs;　2022年06月発表情報;　15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2022), Kanazawa, June 6-9, 2022著者;　N. C. Saha, S.–W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu,Growth Mechanism of 2-Inch High-Quality Heteroepitaxial Diamond Free-Standing Wafers on Sapphire for High-Power Diamond FETs;　2022年05月発表情報;　Materials Research Society (MRS) Spring Meeting, EQ01.16.06, On-line, May 8, 2022著者;　Makoto Kasu, Seong-Woo Kim, Ryota Takaya, and Niloy Saha Chandra垂直 VB 成長と EFG 成長(001) β-Ga2O3 結晶の X 線トポグラフィー観察;　2022年03月発表情報;　2022年春季応用物理学会、相模原、26p-E202-14著者;　ムヒドゥル イスラム チャマン, 干川圭吾 , スダーン セイリープ , 嘉数 誠N フリーヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長;　2022年03月発表情報;　2022年春季応用物理学会、相模原、25a-E204-9著者;　金 聖祐，高谷 亮太, 平野 慎太郎, 川又 友喜, 小山 浩司, 嘉数 誠高感度エミッション顕微鏡によるHVPE (001)型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定ー研磨による表面キズ;　2022年03月発表情報;　2022年春季応用物理学会、相模原、25p-E202-10著者;　スダーン セイリープ、シャーマン イスラム, 桝谷聡士, 佐々木公平, 川崎克己, 平林潤, 倉又朗人, 嘉数 誠精密 X 線回折法による高品質 EFG β-Ga2O3単結晶の格子定数の決定;　2022年03月発表情報;　2022年春季応用物理学会、相模原、26p-E202-13著者;　ムヒドゥル イスラム チャマン , スダーン セイリープ ,嘉数 誠820 MW/cm2 0.42 A/mm 3326 V 選択ドーピダイヤモンドMOSFET;　2022年03月発表情報;　2022年春季応用物理学会、相模原、22p-E302-9著者;　ニロイ チャンドラ サハ, 金 聖祐,　大石敏之, 嘉数 誠875 MW/cm2 2568 V 0.68A/mm NO2 ドープダイヤモンドMOSFET;　2022年03月発表情報;　2022年春季応用物理学会、相模原、22p-E302-10著者;　ニロイ チャンドラ サハ , 金 聖祐, 大石敏之 , 嘉数 誠Misorientation Angle of Heteroepitaxial Diamond on Sapphire Misoriented Substrate;　2022年03月発表情報;　15a-A408-8、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会、東京、2023年3月15日著者;　JACQUES DAGBETO, Koji Koyama, Seongwoo Kim, Makoto KasuHigh Quality Heteroepitaxial Diamond by Using Step-Flow Growth;　2021年12月発表情報;　High Quality Heteroepitaxial Diamond by Using Step-Flow Growth著者;　Seong-Woo Kim, Ryota Takaya, and Makoto KasuDiamond Field-Effect Transistors with Modulation Doping;　2021年12月発表情報;　2021 Materials Research Society Fall Meeting, EQ19.12著者;　Makoto Kasu, Niloy Chandra Saha, Seong-Woo Kim, and Toshiyuki Oishiサファイア基板上大口径・高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの成長機構;　2021年10月発表情報;　日本結晶成長学会第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)著者;　嘉数 誠、高谷亮太、 金 聖祐ステップフロー成長を用いたサファイア基板上大口径・高品質ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長;　2021年10月発表情報;　日本結晶成長学会第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)著者;　金聖祐, 平野慎太郎, 高谷亮太, 嘉数誠高感度エミッション顕微鏡およびシンクロトロンX線トポグラフィーによるHVPE(001)β型酸化ガリウムSBDのキラー欠陥の同定;　2021年10月発表情報;　日本結晶成長学会第50回結晶成長国内会議(JCCG-50)著者;　嘉数 誠，スダーン セイリープ，シャーマン イスラム，桝谷聡士，佐々木公平，川崎克己，平林 潤，倉又朗人影が太陽光モジュールの発電量に与える影響のメカニズム;　2021年09月発表情報;　2021年電気・情報関係学会九州支部第74回連合大会、オンライン、2021年9月24-25日著者;　高治 広行、 嘉数 誠、 吉岡 達也緑色発光を用いたβ-Ga2O3結晶の微細構造評価;　2021年09月発表情報;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、21a-P01-2、2021年9月10-13日著者;　庄司 昂平, 中西 雅彦, 桝谷 聡士, 嘉数 誠, 山口 智広, 本田 徹, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 尾沼 猛儀サファイア基板に大口径・高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンドが成長する機構;　2021年09月発表情報;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、13a-S301-2、2021年9月10-13日著者;　高谷亮太，眞崎 瞭, 金 聖祐, ニロイ チャンドラ サハ, 嘉数 誠ステップフロー成長を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの高品質化;　2021年09月発表情報;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、13a-S301-3、2021年9月10-13日。著者;　金 聖祐，高谷亮太, 嘉数 誠高分解能X線回折法によるVB成長β型酸化ガリウムの結晶品質の評価;　2021年09月発表情報;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、13p-S201-10、2021年9月10-13日。著者;　チャマン　イスラム, 干川圭吾, 嘉数 誠イオン注入法のみでドーピングし作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード;　2021年09月発表情報;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、12p-S301-8、2021年9月10-13日。著者;　重松 誠弥，関 裕平，星野 靖，中田 穣治，大石 敏之，嘉数 誠選択ドーピングしたダイヤモンド電界効果トランジスタ;　2021年09月発表情報;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、12p-N305-9、2021年9月10-13日著者;　嘉数 誠，ニロイ サハ チャンドラ, 金 聖祐，大石敏之高感度エミッション顕微鏡によるHVPE (001)型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定ープローブによる欠陥;　2021年09月発表情報;　2021年秋季応用物理学会、オンライン、12p-N206-13、2021年9月10-13日。著者;　スダーン セイリープ, シャーマン イスラム, 桝谷聡士, 佐々木公平, 川崎克己, 平林潤, 倉又朗人, 嘉数 誠Modulation-doped diamond field-effect transistors fabricated by NO2 delta doping in an Al2O3 gate layer;　2021年09月発表情報;　31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Online, 6-9 September 2021著者;　M. Kasu, N.C. Saha, S.-W. Kim, and T. Oishi,Initial Growth Mechanism of High-Quality Diamond Heteroepitaxial Layers on Sapphire and MgO Substrates;　2021年09月発表情報;　31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Online, 6-9 September 2021.著者;　Makoto Kasu, Ryota Takaya, Ryo Masaki, Niloy Chandra Saha, Yuki Kawamata, Koji Koyama, and Seong-Woo KimMgO基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長機構;　2021年03月発表情報;　MgO基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長機構著者;　真崎 瞭, 高谷亮太, 金 聖祐, 川又友喜, 小山浩司, ニロイ チャンドラ, 嘉数 誠サファイア基板上に成長した最高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド;　2021年03月発表情報;　サファイア基板上に成長した最高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド著者;　高谷亮太, 金 聖祐, 川又友喜, 小山浩司,　ニロイ サハ チャンドラ, 嘉数 誠2608 V Operation of NO2-Doped p-channel Diamond MOSFETs;　2021年03月発表情報;　2021年春季応用物理学会E 19p-Z25-14、オンライン、2021年3月16-19日著者;　Niloy Chandra Saha, Seong Woo Kim, Toshiyuki Oishi, Yuki Kawamata, Koji Koyama, Makoto KasuObservation of Nitrogen species at Al2O3/NO2/H-diamond Interfaces Using Synchrotron X-ray Photoemission Spectroscopy;　2021年03月発表情報;　2021年春季応用物理学会E 18a-Z13-7、オンライン、2021年3月16-19日著者;　Niloy Chandra Saha, Kazutoshi Takahashi, Masaki Imamura, Makoto Kasu顕微ラマンマッピング測定による酸化ガリウム結晶の微細構造評価;　2021年03月発表情報;　2021年春季応用物理学会19a-Z33-4、オンライン、2021年3月16-19日著者;　中西雅彦, 飯塚万友, 庄司昂平, 桝谷聡士, 嘉数 誠, 山口智広, 本田 徹, 佐々木公平, 倉又 朗人, 尾沼 猛儀Polycrystalline Defects Origin of Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 SBDs Identified by High Sensitive Emission Microscope;　2021年03月発表情報;　2021年春季応用物理学会19a-Z33-7、オンライン、2021年3月16-19日著者;　Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, Makoto Kasu高感度エミッション顕微鏡によるHVPE(001)beta型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定―微粒子による積層欠陥;　2021年03月発表情報;　2021年春季応用物理学会19a-Z33-7、オンライン、2021年3月16-19日著者;　嘉数 誠, スダーン セイリープ, 佐々木公平, 桝谷聡士, 川崎克己, 平林潤, 倉又朗人高感度エミッション顕微鏡によるHVPE(001)beta型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定―微粒子による積層欠陥;　2021年03月発表情報;　2021年春季応用物理学会19a-Z33-8、オンライン、2021年3月16-19日著者;　嘉数 誠, スダーン セイリープ, 佐々木公平, 桝谷聡士, 川崎克己, 平林潤, 倉又朗人ラマン分光法によるGaN/ダイヤモンド接合界面の残留応力評価;　2021年03月発表情報;　2021年春季応用物理学会19p-Z25-12、オンライン、2021年3月16-19日著者;　小林礼佳, 清水康雄, 大野 裕, 金 聖祐, 小山 浩司, 嘉数 誠, 重川直輝, 梁 剣波Ultrahigh-Sensitivity Emission Microscopy Study of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes in Operation;　2020年11月発表情報;　Ultrahigh-Sensitivity Emission Microscopy Study of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes in Operation著者;　M. Kasu, S. Sayleap, H. Takaji, K. Sasaki, J. Arima, K. Kawasaki, J. Hirabayashi, A. Kuramata,High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates;　2020年11月発表情報;　High Current (0.7 A/mm) for Diamond MOSFETs with 1.4-µm gate and NO2 P-Type Doping on High Quality Heteroepitaxial Diamond Substrates著者;　N. Chandra, T. Oishi, S.–W. Kim, Yuki Kawamata、Koji Koyama, and M. KasuInitial Growth of High-Quality Diamond Heteroepitaxial Layer on Sapphire Substrate;　2020年11月発表情報;　Initial Growth of High-Quality Diamond Heteroepitaxial Layer on Sapphire Substrate著者;　M. Kasu, R. Takaya, Yuki Kawamata, Koji Koyamand, and S. -W. Kimサファイア基板上にヘテロエピタキシャル成長したダイヤモンドの核形成の観察;　2020年09月発表情報;　2020年秋季応用物理学会、8p-Z05-5、京都、2020年9月8-11日著者;　高谷亮太, 川又友喜, 小山浩司, 金 聖祐, 嘉数 誠高品質VB成長β型酸化ガリウムバルク結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察;　2020年09月発表情報;　2020年秋季応用物理学会、9p-Z20-5、京都、2020年9月8-11日著者;　嘉数 誠, スダーン セイリープ, 小林拓実, 大葉悦子, 干川圭吾HVPE成長β型酸化ガリウムエピ層中の積層欠陥の観察;　2020年09月発表情報;　2020年秋季応用物理学会、29p-Z20-6、京都、2020年9月8-11日著者;　嘉数 誠, スダーン セイリープ, 佐々木公平, 桝谷聡士, 川崎克己, 平林 潤, 倉又 朗人超高感度エミッション顕微鏡によるEFG成長β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の起源の同定;　2020年09月発表情報;　2020年秋季応用物理学会、9p-Z20-11、京都、2020年9月8-11日著者;　嘉数 誠, スダーン セイリープ, 佐々木公平, 大石敏之, 川崎克己, 平林 潤, 倉又 朗人145-MW/cm2 NO2-Doped Diamond MOSFETs;　2020年09月発表情報;　2020年秋季応用物理学会、11p-Z04-9,、京都、2020年9月8-11日著者;　Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, Seongwoo Kim, Yuki Kawamata, Koji Koyama, Makoto Kasu高感度エミッション顕微鏡による(001)型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の観察;　2020年03月発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日。著者;　スダーン セイリープ, 佐々木公平, 倉又朗人, 嘉数 誠NO2ドープダイヤモンドMOSFETの大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作;　2020年03月発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日著者;　ニロイ チャンドラ サハ, 川又友喜, 小山浩司, 金 聖祐, 大石敏之, 嘉数 誠サファイア基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャルの成長機構;　2020年03月発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日。著者;　高谷亮太，川又友喜，小山浩司，金 聖祐，嘉数 誠GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価;　2020年03月発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日著者;　小林礼佳, 清水康雄, 大野 裕, 金 聖祐, 小山 浩司, 嘉数 誠, 重川直輝, 梁 剣波高出力パワーデバイス応用に向けたGaN/Diamond直接接合の作製;　2019年09月発表情報;　2019年秋季応用物理学会、札幌、2019年9月18-21日著者;　梁 剣波、清水康雄、大野 裕、白崎謙次、永井康介、嘉数 誠、金 聖祐、Kuball Martin、重川直輝GaAs/Diamond直接接合の界面評価;　2019年09月発表情報;　2019年秋季応用物理学会、札幌、2019年9月18-21日著者;　中村祐志、清水康雄、大野 裕、詹 天卓、山下雄一郎、白崎謙次、永井康介、渡邊孝信、嘉数 誠、重川直輝、梁 剣波RF measurements and analysis for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds,;　2019年09月発表情報;　30th International Conference on Diamond and Related Materials (ICDCM2019), Seville, Spain, Sep. 7-12, 2019.著者;　M. Kasu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. KimRF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds;　2019年09月発表情報;　30th International Conference on Diamond and Related Materials (ICDCM2019), Seville, Spain, Sep. 7-12, 2019著者;　M. Kasu, Y. Ishimatsu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. KimRelation between Emission Spots and Reverse Leakage Current in HVPE (001) β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes;　2019年08月発表情報;　2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials, Columbus Ohio. August 12-15th 2019著者;　M. Kasu, K. Sasaki, K. Kawasaki, J. Hirabayashi, and A. KuramataSynchrotron X-ray Topography Observation of Defects in Vertical-Bridgman-Grown β-Ga2O3 Single Crystal;　2019年08月発表情報;　2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials, Columbus Ohio, August 12-15th 2019著者;　M. Kasu, S. Masuya, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Kobayashi, K. Hoshikawa, and O. UedaHeterointerfacial electronic properties and energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface using XPS/XANES measurements;　2019年05月発表情報;　the 13th New Diamond and Nano Carbons Conference. May 15-17, 2019, Hualien, Taiwan.著者;　Niloy Chandra Saha, Kazutoshi Takahashi, Masaki Imamura, Makoto KasuRF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds;　2019年05月発表情報;　the 13th New Diamond and Nano Carbons Conference. May 15-17, 2019, Hualien, Taiwan.著者;　M. Kasu, Y. Ishimatsu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. KimNO2ドープダイヤモンドMOSFETの大電流（0.78 A / mm）、高電圧（618 V）動作;　2019年03月発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日著者;　ニロイ チャンドラ サハ, 川又友喜, 小山浩司, 金 聖祐, 大石敏之, 嘉数 誠サファイア基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャルの成長機構;　2019年03月発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日著者;　高谷亮太，川又友喜，小山浩司，金 聖祐，嘉数 誠高感度エミッション顕微鏡による(001)型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の観察;　2019年03月発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日著者;　スダーン セイリープ, 佐々木公平, 倉又朗人, 嘉数 誠GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価;　2019年03月発表情報;　2020年春季応用物理学会、東京、2020年3月12-15日著者;　小林礼佳, 清水康雄, 大野 裕, 金 聖祐, 小山 浩司, 嘉数 誠, 重川直輝, 梁 剣波Energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface determined by synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy;　2019年03月発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日著者;　Niloy Chandra Saha, K. Takahashi, M. Imamura, M. Kasu有機薄膜太陽電池の準安定性に影響を与える温度の検討;　2019年03月発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日著者;　佐藤梨都子、千葉恭男、近松真之、吉田郵司、嘉数 誠、當摩哲也、増田 淳高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製;　2019年03月発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日著者;　中村祐志、桝谷聡士、嘉数 誠、重川直輝、梁 剣波ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲートMOSFETの高周波特性;　2019年03月発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日著者;　石松裕真、大石敏之、鴨川拓弥、サハニロイチャンドラ、金 聖祐、嘉数 誠パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu直接接合の形成;　2019年03月発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日著者;　梁 剣波、神田進司、桝谷聡士、嘉数 誠、重川直輝シンクロトロンX線トポグラフィーによる垂直ブリッジマン成長β-Ga2O3単結晶の欠陥の観察;　2019年03月発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日著者;　桝谷聡士、佐々木公平、倉又朗人、小林拓実、干川圭吾、上田 修、嘉数 誠HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットと逆方向リーク電流の関係;　2019年03月発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会、東京、3月9-12日著者;　嘉数 誠、片桐英鉄、佐々木公平、川崎克己、平林　潤、山腰茂伸、倉又朗人Energy band alignment of Al2O3/Air/H-diamond heterointerface determined by synchrotron x-ray photoelectron spectroscopy;　2019年03月発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会著者;　Niloy Chandra Saha, K. Takahashi, M. Imamura, M. Kasu有機薄膜太陽電池の準安定性に影響を与える温度の検討;　2019年03月発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会著者;　佐藤梨都子、千葉恭男、近松真之、吉田郵司、嘉数 誠、當摩哲也、増田 淳高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製;　2019年03月発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会著者;　中村祐志、桝谷聡士、嘉数 誠、重川直輝、梁 剣波ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲートMOSFETの高周波特性;　2019年03月発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会著者;　石松裕真、大石敏之、鴨川拓弥、サハニロイチャンドラ、金 聖祐、嘉数 誠パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu直接接合の形成;　2019年03月発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会著者;　梁 剣波、神田進司、桝谷聡士、嘉数 誠、重川直輝シンクロトロンX線トポグラフィーによる垂直ブリッジマン成長β-Ga2O3単結晶の欠陥の観察;　2019年03月発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会著者;　桝谷聡士、佐々木公平、倉又朗人、小林拓実、干川圭吾、上田 修、嘉数 誠HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットと逆方向リーク電流の関係;　2019年03月発表情報;　2019年応⽤物理学会春季学術講演会著者;　嘉数 誠、片桐英鉄、佐々木公平、川崎克己、平林　潤、山腰茂伸、倉又朗人Crystal defects which relate with leakage current of HVPE (001) b-Ga2O3 Schottky barrier diodes;　2018年11月発表情報;　Materials Research Society 2018 Fall Meeting著者;　M. Kasu, E. Katagiri, S. Fujita, K. Sasaki, K. Kawasaki, J. Hirabayashi, A. Kuramata, T. OishiThe Interface properties of Al2O3/NO2/H-diamond in MOSFET structure studied by capacitance and conductance and synchrotron XPS/XANES measurements;　2018年11月発表情報;　Materials Research Society 2018 Fall Meeting著者;　N. C. Saha, K. Takahashi, S. Masuya, M. Imamura, M. KasuシンクロトロンX線トポグラフィーによるCVDダイヤモンドホモエピ膜の欠陥の観察;　2018年09月発表情報;　2018年応⽤物理学会秋季学術講演会著者;　桝谷聡士、嘉数 誠ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の化学機械平坦化(CMP)処理による電気特性の評価;　2018年09月発表情報;　2018年応⽤物理学会秋季学術講演会著者;　木村 豊、金 聖祐、桝谷聡士、大山幸希、池尻憲次朗、嘉数 誠Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製;　2018年09月発表情報;　2018年応⽤物理学会秋季学術講演会著者;　梁 剣波、桝谷聡士、藤居大樹、金 聖祐、嘉数 誠、重川直輝DCストレス後のダイヤモンドMOS FET特性のデバイスシミュレーションによる解析;　2018年09月発表情報;　2018年応⽤物理学会秋季学術講演会著者;　大石敏之、鴨川拓弥、嘉数 誠HVPE (001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのエミッションスポットの観察;　2018年09月発表情報;　2018年応⽤物理学会秋季学術講演会著者;　片桐英鉄、佐々木公平、川崎克己、平林潤、倉又朗人、嘉数 誠Diamond field-effect transistors fabricated on high-quality heteroepitaxial diamond wafers treated by chemical mechanical polishing technology;　2018年09月発表情報;　Int. Conf. Diamond and Carbon Materials (ICDCM)著者;　M. Kasu, D. Fujii, S. Masuya, T. Oishi, S. –W. KimEnergy band alignment of Al2O3/NO/H-diamond and Al2O3/SO2/H-diamond heterointerfaces determined by synchrotron XPS/UPS/XANES measurements;　2018年09月発表情報;　Int. Conf. Diamond and Carbon Materials (ICDCM) 2019著者;　N. C. Saha, K. Takahashi, M. Imamura, M. Kasu,Improvement of performance of NO2-doped H-diamond FET by using Au gate metal;　2018年09月発表情報;　Int. Conf. Diamond and Carbon Materials (ICDCM) 2018著者;　N. C. Saha, M. Kasuダイヤモンド基板のCMP処理によるエピタキシャル膜の高品質化;　2018年03月発表情報;　応用物理学会春季学術講演会著者;　藤居大毅、枡谷聡士、大山幸希、武田秀俊、木村 豊、金 聖祐、嘉数 誠シンクロトロンX線セクショントポグラフィーによる低転位密度の高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察;　2018年03月発表情報;　応用物理学会春季学術講演会著者;　桝谷聡士、角谷 均、嘉数 誠シンクロトロンX線光電子分光法によるAl2O3/NO/Hダイヤモンドヘテロ界面のエネルギーバンドアライメントの測定;　2018年03月発表情報;　応用物理学会春季学術講演会著者;　サハ ニロイ チャンドラ、高橋和敏、今村真幸、嘉数 誠マイクロニードル技術を用いた高品質ヘテロエピタキシャル膜上に作製したダイヤモンドFET;　2018年03月発表情報;　応用物理学会春季学術講演会著者;　嘉数 誠、深見 成、石松裕真、桝谷聡士、大石敏之、藤居大樹、金 聖佑Al2O3/NO2ホールドープダイヤモンドMOS構造のC-V測定におけるゲート金属の影響;　2018年03月発表情報;　応用物理学会春季学術講演会著者;　サハ ニロイ チャンドラ、嘉数 誠高い電圧変換比を持つダイヤモンドショットキーバリアダイオードRF-DC変換回路;　2018年03月発表情報;　応用物理学会春季学術講演会著者;　深見 成、網代康佑、大石敏之、河野直士、荒木幸二、桝谷聡士、嘉数 誠バックコンタクト型太陽電池，PERC型太陽電池，シリコンヘテロ接合型太陽電池モジュールの温度特性測定;　2018年03月発表情報;　応用物理学会春季学術講演会著者;　原 重臣、ジャファー アブドゥ、崔 誠佑、千葉恭男、増田 淳、嘉数 誠HVPEによるα-Ga2O3のGeドーピング;　2018年03月発表情報;　応用物理学会春季学術講演会著者;　大島祐一、河原克明、嘉数 誠、四戸 孝、人羅俊実HVPEによるα-Ga2O3の選択横方向成長;　2018年03月発表情報;　応用物理学会春季学術講演会著者;　大島祐一、河原克明、神野莉衣奈、四戸 孝、人羅俊実、嘉数 誠、藤田静雄The combination of Diamond devices with Si LSI by surface activated bonding;　2018年03月発表情報;　Int. Conf. Diamond and Carbon Materials (ICDCM) 2018著者;　Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, and Naoteru ShigekawaInterpolation Method for Missing Data of Measurement in Mega Solar Power Plant Using Wavelet Transforms;　2017年11月発表情報;　27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC2017)著者;　S. Hara, M. KasuSubsecond interval measurements of outdoor operated mega solar power plant;　2017年11月発表情報;　27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC2017)著者;　Shigeomi Hara, Makoto KasuInterface Properties of Diamond MOS Diodes Studied by Capacitance-Voltage and Conductance Methods - NO2 Hole Doping Effect –;　2017年09月発表情報;　2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)著者;　N. C. Saha, M. KasuSi 基板と接合した単結晶ダイヤモンドの残留応力評価;　2017年09月発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会著者;　梁 剣波、桝谷聡士、嘉数 誠、Y. Zhou、F. Gucmann、M. S ingh、J. Pomeroy、M. Kuball、重川直輝NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレスによる劣化メカニズムの検討;　2017年09月発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会著者;　舟木浩祐、石松裕真、桝谷聡士、宮崎恭輔、大島孝仁、嘉数 誠、大石敏之2017年09月発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会著者;　上田 修、池永訓昭、森林朋也、輿 公祥、飯塚和幸、倉又朗人、嘉数 誠シンクロトロンX線トポグラフィーによるEFG成長β-Ga2O3単結晶中の欠陥の観察;　2017年09月発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会著者;　桝谷聡士、輿 公祥、飯塚和幸、倉又朗人、上田 修、嘉数 誠低暗電流酸化ガリウムMIS光検出素子;　2017年09月発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会著者;　大島孝仁、橋川 誠、富澤三世、佐々木公平、倉又朗人、大石敏之、嘉数 誠en-Millisecond Interval Measurements of Generated Power, Irradiance and Weather at Mega Solar Power Plant;　2017年06月発表情報;　International 2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-44)著者;　M. Kasu, S. HaraHigh-Speed Measurements of Generated Power and its Relationship to Weather Observations at Yoshinogari Mega Solar Power Plant;　2017年06月発表情報;　International 2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-44)著者;　M. Kasu, S. Hara, and T. UematsuDependence of String Power on its Height in the Array in Yoshinogari Mega Solar Power Plant;　2017年06月発表情報;　International 2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-44)著者;　S. Hara, M. Kasu, and Y. Masutomi,Temperature Dependence and Performance Analysis of Photovoltaic Modules;　2017年06月発表情報;　27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC2017)著者;　J. Abdu, S. Hara, S. Choi, Y. Chiba, A. Masuda, M. Kasu吉野ヶ里メガソーラーにおける高速測定システムの構築;　2017年03月発表情報;　応用物理学会春季講演会、2017年3月14～17日、横浜著者;　嘉数　誠，原　重臣，植松卓巳ダブルNO2ホールドーピングした水素終端ダイヤモンドMOS FETの連続動作;　2017年03月発表情報;　応用物理学会春季講演会、2017年3月14～17日、横浜著者;　舟木　浩祐，石松　裕真，桝谷　聡士，大島　孝仁，嘉数 誠, 大石 敏之ダイヤモンド素子を用いた高耐圧レクテナ回路の作製;　2017年03月発表情報;　応用物理学会春季講演会、2017年3月14～17日、横浜著者;　河野 直士, 深見 成, 桝谷 聡士，嘉数 誠，大石 敏之(2 ̅01) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係;　2017年03月発表情報;　応用物理学会春季講演会、2017年3月14～17日、横浜著者;　森林朋也，橋口明広，大島孝仁，花田賢志，大石敏之，輿 公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田 修，嘉数 誠(001) β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係;　2017年03月発表情報;　応用物理学会春季講演会、2017年3月14～17日、横浜著者;　橋口 明広，森林 朋也，大島 孝仁，大石 敏之，輿 公祥，佐々木 公平， 倉又 朗人，上田 修，嘉数 誠高温アニールによるダイヤモンド単結晶の積層欠陥の消高温アニールによるダイヤモンド単結晶の積層欠陥の消滅;　2016年09月発表情報;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟著者;　桝谷 聡士、森林 朋也、角谷 均、嘉数 誠イヤモンドデバイスを用いた無線電力伝送用レクテナの理論的検討;　2016年09月発表情報;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟著者;　大石 敏之、河野 直士、嘉数 誠酸化ガリウムダイオードを用いたレクテナ回路動作;　2016年09月発表情報;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟著者;　河野 直士、大島 孝仁、嘉数 誠、大石 敏之β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係;　2016年09月発表情報;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟著者;　橋口 明広、森林 朋也、花田 賢志、大島 孝仁、大石 敏之、輿 公祥、佐々木 公平、倉又 朗人、上田 修、嘉数 誠β-Ga2O3 (010)単結晶のエッチピットの構造;　2016年09月発表情報;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟著者;　森林 朋也、花田 賢志、輿 公祥、佐々木 公平、倉又 朗人、上田 修、嘉数 誠abrication of Diamond Rectenna Devices for RF Power Transmission;　2016年09月発表情報;　27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie著者;　M. Kasu, T. Oisi, N. Kawano, A. Miyachi, and S. KawasakiDisappearance of stacking faults in single crystal diamond by thermal annealing;　2016年09月発表情報;　27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie著者;　S. Masuya, T. Moribayashi , K. Hanada, H. Sumiya , M. KasuReal –Time Measurement of Hole Doping by NO2 and SO2 Molecular Adsorption on H-Terminated Diamond Surfaces;　2016年09月発表情報;　27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie著者;　Kenji Hanada, Makoto KasuFabrication of diamond field-effect transistors with double NO2 hole doping and low-temperature-deposited Al2O3 gate insulator layer;　2016年09月発表情報;　27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie著者;　M. Kasu, K. Hanada, K. Funaki, S. Masuya, T. Oshima, and T. OishiDetermination of stacking faults in an (111) high pressure/high temperature (HP/HT) diamond single crystals with extremely low defect density via synchrotron X-ray topography;　2016年09月発表情報;　27th International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, Sep 4-8, Monpelie著者;　S. Masuya , T. Moribayashi , K. Hanada , H. Sumiya, M. KasuSynchrotron X-ray topography observation of stacking faults in HPHT diamond single crystal;　2016年03月発表情報;　8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016 / IC-PLANTS2016) March 6-10, 2016 Nagoya著者;　S. Masuya, K. Hanada, T. Uematsu, T. Moribayashi, M. Kasu, H. SumiyaシンクロトロンX線トポグラフィーによる低欠陥密度高温高圧合成(110)ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の部分転位観察;　2016年03月発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京著者;　桝谷聡士、森林朋也、花田賢志、角谷 均、嘉数 誠シンクロトロンX線トポグラフィーによる低欠陥密度高温高圧合成ダイヤモンド(111)単結晶の積層欠陥観察;　2016年03月発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京著者;　桝谷聡士、森林朋也 、花田賢志、角谷 均、嘉数 誠ダブルNO2ホールドーピングを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの作製;　2016年03月発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京著者;　嘉数 誠、原田 和也、古賀 優太、花田 賢志、大石 敏之-Ga2O3ショットキーバリアダイオード素子特性の分布;　2016年03月発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京著者;　嘉数 誠、原田 和也、花田 賢志、大石 敏之高濃度Snドープ-Ga2O3(-20 1)単結晶の温度特性の検討;　2016年03月発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京著者;　大石 敏之、嘉数 誠高効率無線電力伝送を目指したダイヤモンド・レクテナデバイスの提案;　2016年03月発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京著者;　大石 敏之，河野 直士，嘉数 誠β-Ga2O3(010)単結晶のエッチピットの観察;　2016年03月発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京著者;　花田賢志，森林朋也，輿　公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田　修，嘉数　誠β-Ga2O3成長結晶の(010)における溝型欠陥の観察;　2016年03月発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京著者;　花田賢志，森林朋也，輿　公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田　修，嘉数　誠ダイヤモンド表面のSO2ホールドーピングの実時間測定;　2016年03月発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京著者;　花田 賢志，嘉数 誠ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の作製;　2016年03月発表情報;　応用物理学会春季講演会、2016年3月19～22日、東京著者;　河野 直士, 大石 敏之, 嘉数 誠Fabrication of Diamond Field-Effect Transistors with Various NO2 Hole-Doping Conditions and Al2O3 Gate Insulator Layers;　2016年03月発表情報;　Materials Research Meeting (MRS) Spring Meeting, Phoenix, USA, Mar 28-Apr.1, 2016.著者;　Makoto Kasu, Kenji Hanada, Kazuya Harada, Yuta Koga, Kosuke Funaki, and Toshiyuki Oisi,Study on Dislocations and Stacking faults and in High-Pressure High-Temperature Synthesized Type-IIa Diamond Single Crystals by Synchrotron X-ray Topography Observations;　2016年03月発表情報;　Materials Research Meeting (MRS) Spring Meeting, Phoenix, USA, Mar 28-Apr.1, 2016.著者;　Makoto Kasu, Satoshi Masuya, Kenji Hanada, Tomoya Moribayashi, Hitoshi SumiyaObservation of Crystalline Pits in β-Ga2O3 As-Grown Single Crystals;　2016年03月発表情報;　Materials Research Meeting (MRS) Spring Meeting, Phoenix, USA, Mar 28-Apr.1, 2016.著者;　Makoto Kasu, Kenji Hanada, Tomoya Moribayashi, Takumi Uematsu, Satoshi Masuya, Kimiyoshi Koshi, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, and Osamu Uedaダイヤモンド単結晶とSi単結晶基板の常温接合;　2016年発表情報;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟著者;　梁 剣波、桝谷 聡士、嘉数 誠、重川 直輝β-Ga2O3用ITOオーミック電極;　2016年発表情報;　応用物理学会秋季講演会、2016年9月13～16日、新潟著者;　大島 孝仁、若林 諒、服部 真依、橋口 明広^M、河野 直人^M、佐々木 公平、増井 建和、倉又 朗人、山腰 茂伸、吉松 公平、大友 明、大石 敏之、嘉数 誠NO2 分子吸着中における水素終端ダイヤモンド表面のホール濃度の測定;　2015年12月発表情報;　表面科学会学術講演会、2015年12月1～3日、つくば著者;　花田賢志, 嘉数誠b-Ga2O3ワイドギャップ半導体単結晶のエッチピットの構造;　2015年12月発表情報;　応用物理学会九州支部大会、2015年12月5～6日、那覇著者;　森林朋也、植松卓巳、桝谷聡士、花田賢志、輿公祥、佐々木公平、倉又朗人、嘉数　誠Etch-Pit Observation of EFG-grown -Ga2O3 Single Crystals;　2015年11月発表情報;　International Workshop on Gallium Oxide (IWGO), Nov.3~6, 2015, Kyoto著者;　M. Kasu, T. Uematsu, S. Masuya, T. Moribayashi, K. Hanada,　K. Koshi, K. Sasaki, and A. KuramataFabrication of Schottky Barrier Diodes of EFG-grown Sn-doped b-Ga2O3 (-201) Single-Crystals;　2015年11月発表情報;　International Workshop on Gallium Oxide (IWGO), Nov.3~6, 2015, Kyoto著者;　Y. Koga, K. Harada, K. Hanada, T. Oishi, and M. KasuEstimation Method of Solar Cell Temperature Using Meteorological Data in Mega Solar Power Plant,;　2015年11月発表情報;　25th International Photovoltatic Science and Engineering Conference (PVSEC-25), Nov. 16-20, Busan著者;　S. Hara, H. Tanaka, M. Kasu, N. MatsuiEstimation Method of Characteristic Parameters of Strings in Mega Solar Power Plant;　2015年11月発表情報;　25th International Photovoltatic Science and Engineering Conference (PVSEC-25), Nov. 16-20, Busan著者;　Shigeomi Hara, Makoto Kasu, Noriaki Matsui,シンクロトロンX線トポグラフィー透過法によるHPHT単結晶ダイヤモンドの 転位の観察;　2015年11月発表情報;　第29回ダイヤモンドシンポジウム、2015年11月19日～21日著者;　桝谷聡士、村上竜一、角谷均、嘉数　誠高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の放射光Ｘ線トポグラフィ観察;　2015年11月発表情報;　ダイヤモンドシンポジウム、2015年11月17＝19日、東京著者;　桝谷聡士、花田賢志、植松卓巳、森林朋也、角谷 均、嘉数 誠EFG成長β- Ga2O3単結晶のエッチピットの観察;　2015年10月発表情報;　結晶成長学会国内会議2015年10月~21日、札幌著者;　花田賢志，森林朋也，植松卓巳，桝谷聡士，嘉数誠，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人シンクロトロンX線トポグラフィによる高温高圧合成ダイヤモンド(110)単結晶の積層欠陥の評価;　2015年10月発表情報;　著者;　桝谷聡士、花田賢志、植松卓巳、森林朋也、嘉数誠、角谷均シンクロトロンX線トポグラフィーによる高品質高温高圧合成ダイヤモンド 単結晶の転位の種類の同定;　2015年10月発表情報;　結晶成長学会国内会議、札幌、2015年10月19日～21日著者;　嘉数　誠，村上竜一、桝谷聡士、原田和也、角谷　均b-Ga2O3(01 ̅0)単結晶のエッチピット観察;　2015年09月発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会2015年9月13日～16日、名古屋著者;　植松卓巳、桝谷聡士、森林朋也、花田賢志、輿公祥、飯塚和幸、倉又郎人、嘉数　誠シンクロトロンX線トポグラフィによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の観察;　2015年09月発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会2015年9月13日～16日、名古屋著者;　植松卓巳、桝谷聡士、花田賢志、角谷　均、嘉数　誠Snドープb-Ga2O3(-2 0 1)単結晶のショットキーバリアダイオードの作製;　2015年09月発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会2015年9月13日～16日、名古屋著者;　古賀 優太、原田 和也、花田 賢志、大石 敏之、嘉数 誠NO2分子によるホールドーピングを用いた水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの作製;　2015年09月発表情報;　応用物理学会秋季学術講演会2015年9月13日～16日、名古屋著者;　古賀 優太、原田 和也、花田 賢志、大石 敏之、嘉数 誠NO2 吸着ダイヤモンドFET のデバイスモデルの提案;　2015年09月発表情報;　電子情報通信学会ソサエティー大会2015年9月8日（火）～11日（金）, 仙台 電子情報通信学会ソサエティー大会2015年9月8日（火）～11日（金）, 仙台著者;　大石 敏之、 岸川 拓也、 吉川 大地、 古賀 優太、 嘉数 誠Synchrotron X-ray Topography Observation of (110) HPHT type-IIa Diamond Single Crystals;　2015年05月発表情報;　International Conference on New Diamond and Nano Carbon (NDNC),　May 24～28, 2015, Shizuoka著者;　M.Kasu, R.Murakami, S.Masuya, T.Uematsu, and H.SumiyaシンクロトロンX線トポグラフィーによる(110)高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察;　2015年03月発表情報;　応用物理学会春季学術講演会著者;　嘉数 誠、村上竜一、桝谷聡士、植松卓也、角谷 均メガソーラー測定データを用いた太陽電池セル温度の推定;　2015年03月発表情報;　電気学会全国大会2015年3月24～26日、東京著者;　原 重臣，嘉数 誠，松井 則明太陽電池モジュールの半導体素子としての電気的特性解析;　2015年03月発表情報;　電気学会全国大会2015年3月24～26日、東京著者;　田中裕之，中村圭宏，原重臣，嘉数誠 松井則明高移動度-Ga2O3単結晶(-201 )を用いたショットキーバリアダイオードの作製;　2015年03月発表情報;　応用物理学会春季学術講演会2015年3月11日～14日、平塚、東海大。著者;　古賀 優太、原田 和也、大石 敏之、嘉数 誠高圧高温合成ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィー観察による転位の同定;　2014年12月発表情報;　2014年応用物理学会九州支部大会、大分、2014年12月6日〜7日著者;　村上 竜一、桝谷　聡士、原田　和也、嘉数　誠、輿　公祥、倉又　朗人、飯塚　和幸Ni/Auを用いた����–Ga2O3のショットキーバリアダイオードの作製;　2014年12月発表情報;　2014年応用物理学会九州支部大会、大分、2014年12月6日〜7日著者;　古賀 優太、原田 和也、大石 敏之、嘉数 誠ソーラーパネルのホットスポット観察と電流電圧特性;　2014年12月発表情報;　2014年応用物理学会九州支部大会、大分、2014年12月6日〜7日著者;　田中　裕之、中村　圭宏、原　重臣、嘉数　誠、松井　則明Diamond MOS Interface Properties Studied by XPS/UPS/XANES and C-V Measurements;　2014年11月発表情報;　The 7th International Symposium on Surface Science, Matsue, November 2 - 6, 2014著者;　M. Kasu, K. Hirama, K. Harada, M. Imamura, K. Takahashi, K. ShiraishiシンクロトロンX線トポグラフィーによる高品質高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の転位の種類の同定;　2014年11月発表情報;　2014年結晶成長学会国内会議、東京、11月6-8日著者;　嘉数　誠，村上竜一、桝谷聡士、原田和也、角谷　均Device Operation Analysis of Diamond MOSFET Obtained by Capacitance–Voltage Characteristics;　2014年09月発表情報;　International Conference on Diamond and Related Carbons 2014 (ICDCM2014), Madrid, September 7 - 11, 2014著者;　K. Harada, K. K. Hirama, T. Oishi, M. KasuDislocation Identification of HPHT Diamond Single Crystal Using Synchrotron Light • X-ray Topography Observation;　2014年09月発表情報;　International Conference on Diamond and Related Carbons 2014 (ICDCM2014), Madrid, September 7 - 11, 2014著者;　M. Kasu, R. Murakami, S. Masuya, A. Matsunaga, K. Harada, and H. SumiyaSynchrotron X-ray Topography Observation of CVD Diamond Single Crystal;　2014年09月発表情報;　International Conference on Diamond and Related Carbons 2014 (ICDCM2014), Madrid, September 7 - 11, 2014著者;　S. Masuya, R. Murakami, K. Harada, H. Sumiya , M. Kasuシンクロトロン光・単色X線トポグラフィーによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の反りの高精度測定;　2014年09月発表情報;　2014年秋季応用物理学会学術講演会、札幌、2014年9月17-20日著者;　嘉数 誠、村上竜一、桝谷聡士、原田和也、角谷 均(-201)及びB 面β-Ga2O3 単結晶のシンクロトロン単色X 線トポグラフィー観察;　2014年09月発表情報;　2014年秋季応用物理学会学術講演会、札幌、2014年9月17-20日著者;　桝谷聡士, 村上竜一, 輿　公祥 倉又　朗人、飯塚　和幸, 嘉数　誠ダイヤモンドMOSFETのゲート容量の周波数依存性;　2014年09月発表情報;　2014年秋季応用物理学会学術講演会、札幌、2014年9月17-20日著者;　原田和也、平間一行 、大石敏之、嘉数　誠 β-Ga2O3単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察;　2014年03月発表情報;　2014年春季応用物理学会学術講演会著者;　桝谷聡士、村上竜一、輿　公祥、倉又朗人、飯塚和幸 、嘉数　誠ダイヤモンドMOSFETの容量電圧特性の測定と解析;　2014年03月発表情報;　2014年春季応用物理学会学術講演会、相模原、2014年3月17-20日著者;　原田 和也, 平間 一行, 嘉数 誠β-Ga2O3単結晶のホール電子濃度と移動度の測定と解析;　2014年03月発表情報;　2014年春季応用物理学会学術講演会、相模原、2014年3月17-20日著者;　原田 和也、松永 晃和、輿 公祥、倉又 朗人、嘉数 誠β-Ga2O3単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察;　2014年03月発表情報;　2014年春季応用物理学会学術講演会、相模原、2014年3月17-20日著者;　桝谷聡士、村上竜一、輿　公祥、倉又朗人、飯塚和幸 、嘉数　誠CVD成長ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光・X線トポグラフィー観察;　2014年03月発表情報;　2014年春季応用物理学会学術講演会、相模原、2014年3月17-20日著者;　桝谷聡士、村上竜一、角谷　均、嘉数　誠NO2曝露・水素終端ダイヤモンド／Al2O3ヘテロ界面のバンド不連続の放射光XPS/UPS/XANES測定;　2014年03月発表情報;　2014年春季応用物理学会学術講演会、相模原、2014年3月17-20日著者;　嘉数 誠、高橋和敏、今村真幸、平間一行シンクロトロン光・X線トポグラフィー観察を用いた高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の転位の同定;　2014年03月発表情報;　2014年春季応用物理学会学術講演会、相模原、2014年3月17-20日著者;　村上竜一、桝谷聡士、松永晃和、原田和也、角谷 均、嘉数 誠高移動度b-Ga2O3単結晶(-201 )を用いたショットキーバリアダイオードの作製;　2014年発表情報;　高移動度b-Ga2O3単結晶(-201 )を用いたショットキーバリアダイオードの作製著者;　古賀 優太、原田 和也、大石 敏之、嘉数 誠 NO2吸着・水素終端ダイヤモンド／ALD成長Al2O3界面の放射光XPS/UPSによる電子状態評価;　2013年11月発表情報;　表面科学会学術講演会著者;　嘉数 誠，高橋 和敏，今村 真幸，平間 一行 β-Ga2O3のホール効果測定による電子濃度と移動度の解析;　2013年11月発表情報;　2013年応用物理学会九州支部大会著者;　原田和也、松永晃和、嘉数誠、飯塚和幸、輿公祥、倉又朗人 高圧高温合成ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー観察;　2013年11月発表情報;　2013年応用物理学会九州支部大会著者;　村上 竜一、桝谷　聡士、原田　和也、松永　晃和、嘉数　誠、角谷　均 CVD成長ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィー観察;　2013年11月発表情報;　2013年応用物理学会九州支部大会著者;　桝谷　聡士、村上　竜一、原田　和也、松永　晃和、嘉数誠、角谷均 SiC-MOSFETのスイッチング特性解析―SiCパワーMOSFETとの比較―;　2013年11月発表情報;　2013年応用物理学会九州支部大会著者;　田中 裕之、原田 和也、嘉数 誠 マイクロ波プラズマCVD成長ダイヤモンドを用いたパワー高周波FET;　2013年10月発表情報;　電気学会プラズマ研究会著者;　嘉数誠 ダイヤモンド単結晶のX線トポグラフィ評価、マイクロ波プラズマCVD成長と高圧高温合成の比較;　2013年10月発表情報;　電気学会プラズマ研究会著者;　村上竜一、嘉数誠、桝谷聡士、原田和也、角谷均 パワー半導体ダイヤモンド単結晶の放射光X線トポグラフィ観察;　2013年07月発表情報;　九州シンクロトロン光研究センター・産業総合研究所合同シンポジウム著者;　村上竜一、 嘉数 誠 高温高圧合成ダイヤモンド単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー観察;　2013年03月発表情報;　2013年春季応用物理学会著者;　村上竜一、 角谷均、 嘉数 誠 β-Ga2O3単結晶のシンクロトロン光を用いたX線トポグラフィー評価;　2012年11月発表情報;　結晶成長国内会議著者;　松永晃和, 村上竜一, 西村健吾, 飯塚和幸, 倉又朗人, 増井建和, 嘉数 誠 Thermal Stabilization of H-Terminated Diamond Surface by Using Al2O3 Overlayer and its Stable and Improved Field-Effect Transistors;　2012年09月発表情報;　2012 International Conference on Diamond and Related Carbon Materials著者;　M. Kasu, K. Hirama, H. Sato, and Y. Harada Critical hole concentration for H-terminated diamond surfaces with various surface orientations obtained by high-concentrated NO2 exposure;　2012年09月発表情報;　2012 International Conference on Diamond and Related Carbon Materials著者;　Hisashi Sato and Makoto Kasu 高濃度NO2ガスを用いた様々な面方位をもつ水素終端ダイヤモンド表面へのホールドーピング;　2012年09月発表情報;　2012年秋季応用物理学会著者;　嘉数　誠、佐藤寿志 NO2吸着とAl2O3パッシベーションにより熱的安定化した水素終端ダイヤモンドFETのドレイン電流の増大;　2012年09月発表情報;　2012年秋季応用物理学会著者;　平間 一行, 佐藤 寿志, 原田 裕一, 山本 秀樹, 嘉数 誠 水素終端ダイヤモンド表面の正孔生成機構：吸着分子の特定と第一原理計算結果;　2012年06月発表情報;　2012年九州真空表面研究会著者;　嘉数　誠, 佐藤寿志, 高木祥光, 白石賢二 Inorganic Molecular Hole Doping on H-terminated Diamond Surface; Critical Hole Concentration for Various Orientations and the First-Principle Calculations;　2012年05月発表情報;　New Diamond and Nano Carbons Conference 2012著者;　嘉数誠、佐藤、高木、白石 Al2O3パッシベーションにより熱的安定化した水素終端ダイヤモンドFET;　2012年03月発表情報;　2012年春季応用物理学会著者;　平間 一行, 佐藤寿志, 嘉数　誠 NO2吸着水素終端ダイヤモンド表面の熱的安定化と高温域の電気的特性;　2012年03月発表情報;　2012年春季応用物理学会著者;　嘉数　誠、　佐藤寿志 単結晶ダイヤモンドにおエピタキシャル成長したAlGaN/GaN　HEMTの高周波高出力動作;　2011年12月発表情報;　25回ダイヤモンドシンポジウム著者;　平間 一行，谷保，嘉数　誠 高濃度NO2吸着による水素終端ダイヤモンドの正孔濃度の増加とFET特性の改善;　2011年12月発表情報;　第25回ダイヤモンドシンポジウム著者;　嘉数　誠、佐藤寿志、平間 一行 Critical Hole Concentration of H-terminated Diamond and Hole Generation Model during NO2 and O3 adsorption;　2011年12月発表情報;　International Symposium on Surface Science (ISSS-6)著者;　Hisashi Sato, Makoto Kasu, Kazuyuki Hirama,その他講演Continuous operation (14 h) and stress tests for H-diamond field-effect transistors;　2017年05月発表情報;　11th Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2017)著者;　M. Kasu, K. Funaki, Y. Ishimatsu, S. Masuya, T. Oshima, and T. Oishi2017年05月発表情報;　11th Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2017)著者;　S. Masuya, M. Kasu 究極のパワー半導体ダイヤモンド;　2012年10月発表情報;　宮崎北高校ジョイントセミナー著者;　嘉数　誠招待講演・特別講演（学会シンポジウム等での講演を含む）ダイヤモンド半導体－Beyond5G, EV, 宇宙応用を目指した次世代パワー半導体－;　2023年03月発表情報;　著者;　嘉数　誠Present status of Diamond Semiconductors;　2023年03月発表情報;　次世代グリーンパワー技術における最先端研究著者;　Makoto Kasu未来型ダイヤモンド半導体の実用化に向けて―佐大から宇宙へ―;　2023年03月発表情報;　TSUNAGIシンポジウム（招待）、佐賀、2023年3月18日著者;　嘉数　誠ダイヤモンド半導体－Beyond5G, EV, 宇宙応用を目指した次世代パワー半導体－;　2023年03月発表情報;　日本学術会議（招待）、佐賀、2023年3月14日著者;　嘉数　誠パワー半導体に向けたダイヤモンドFETとインチ径ダイヤウェハの最近の進展;　2023年03月発表情報;　電子通信情報学会総合大会（招待）CI-4-4、さいたま、2023年3月9日著者;　嘉数　誠ダイヤモンド半導体デバイスの作製技術と高性能化;　2023年01月発表情報;　技術情報協会（招待）、東京、2023年1月16日著者;　嘉数　誠Recent progress of NO2 p-type doped diamond MOSFET and heteroepitaxial diamond wafer technologies;　2022年11月発表情報;　The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2022 (APWS2022), Taoyuan, Taiwan, November 13-18, 2022著者;　Makoto Kasu, Seong-Woo KimDefects responsible for leakage current in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes observed by ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography;　2022年11月発表情報;　The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2022 (APWS2022), Taoyuan, Taiwan, November 13-18, 2022著者;　Makoto Kasu, Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, and Akito KuramataDiamond Semiconductor; Inch‐Wafer Growth and Power FET Technologies;　2022年09月発表情報;　The 54th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2022) Short Course (Invited), Makuhari, Sep 26, 2022著者;　Makoto Kasuダイヤモンドパワー半導体デバイス;　2022年09月発表情報;　菱実会　(招待)著者;　嘉数　誠ダイヤモンドパワー半導体デバイスの作製とデバイス応用に向けた課;　2022年09月発表情報;　技術情報協会　(招待) 2022年9月15日著者;　嘉数　誠Two-inch diamond wafer with high FOM for use in MOSFET;　2022年08月発表情報;　14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022), (Invited) Aug 29- Sep 1, 2022著者;　Makoto Kasu, Seoeng-Woo Kim究極のパワー半導体『ダイヤモンド』;　2022年08月発表情報;　佐賀県高校科学部研修会（招待）、佐賀著者;　嘉数　誠2インチ径ダイヤモンドCVD成長の機構と課題;　2022年07月発表情報;　化学工学会CVD反応分科会著者;　嘉数　誠2インチ径ダイヤモンドCVD成長の機構と課題;　2022年06月発表情報;　CVDシンポジウム（招待）、佐賀、2022年6月24日著者;　嘉数　誠究極の半導体 ダイヤモンドの大口径ウェハとパワーデバイスの最近の進展;　2022年03月発表情報;　令和3年度ナノ・マイクロ技術支援講座（ナノ茶論）著者;　嘉数　誠ステップフローを用いたダイヤモンド2インチ径ヘテロウェハ成長と選択ドーピングしたダイヤモンドFETの開発;　2022年01月発表情報;　独立行政法人　日本学術振興会　第R032委員会　第5回研究会著者;　嘉数 誠、金 聖祐ダイヤモンド半導体デバイスの最近の進展2インチ径ヘテロエピウェハ成長と選択ドープパワーデバイスの作製;　2021年12月発表情報;　ダイヤモンド半導体デバイスの最近の進展2インチ径ヘテロエピウェハ成長と選択ドープパワーデバイスの作製著者;　嘉数　誠、金　聖祐HVPE成長-Ga2O3 SBDのキラー欠陥のエミッション顕微鏡とシンクロトロン X 線トポグラフィーによる観察;　2021年12月発表情報;　日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第 145 委員会 第 173 回研究会著者;　嘉数　誠ダイヤモンド半導体の最近の進展大口径ヘテロエピタキシャル成長とパワー半導体デバイスの開発;　2021年11月発表情報;　「2021 Nano Scientific Symposium Japan」 「ナノ科学シンポジウム 2021」著者;　嘉数　誠、金　聖祐マイクロ波帯ハイパワーアンプ応用を目指したダイヤモンドトランジスタの研究;　2021年11月発表情報;　2021 Microwave Workshops & Exhibition (MWE 2021)著者;　嘉数　誠、金　聖祐ダイヤモンドウェハおよびトランジスタ技術の最近の進展;　2021年11月発表情報;　2021 Microwave Workshops & Exhibition (MWE 2021)著者;　嘉数　誠、金　聖祐ダイヤモンド大口径ウェハおよびパワートランジスターの最近の進展;　2021年10月発表情報;　日本機械学会熱工学コンファレンス 2021著者;　嘉数　誠、金　聖祐ダイヤモンド大口径ウェハおよびパワートランジスターの最近の進展;　2021年10月発表情報;　耐放射線デバイス研究会著者;　嘉数　誠、金　聖祐ダイヤモンドパワーFETと大口径ウエファーの最近の進展;　2021年01月発表情報;　ダイヤモンドパワーFETと大口径ウエファーの最近の進展著者;　嘉数 誠放射光X線トポグラフィーによる次世代パワー半導体酸化ガリウムの欠陥の観察;　2020年12月発表情報;　放射光X線トポグラフィーによる次世代パワー半導体酸化ガリウムの欠陥の観察著者;　嘉数 誠Diamond Semiconductor Technologies towards RF Power Applications;　2019年11月発表情報;　4th International Carbon Materials Conference and Exhibition, Shanghai, Nov. 26-29, 2019.著者;　Makoto Kasuβ-Ga2O3単結晶中の欠陥と電気的特性の相関;　2019年05月発表情報;　日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス 第162委員会、第113回究会、大阪、2019年5月10日著者;　嘉数 誠β-Ga2O3結晶中の欠陥と電気的特性との関係;　2019年05月発表情報;　日本学術振興会162委員会第113回研究会著者;　嘉数　誠β-Ga2O3結晶中の欠陥とデバイス特性との関係;　2019年04月発表情報;　信州大学グリーンマテリアル研究所シンポジウム著者;　嘉数　誠エレクトロニクス材料としてのダイヤモンド：エネルギー問題の解決を目指して;　2018年11月発表情報;　大阪市立大学セミナー著者;　Recent progress of diamond field-effect transistor technologies;　2018年11月発表情報;　著者;　Makoto KasuDiamond field-effect transistors for RF power applications;　2018年10月発表情報;　4th E-MRS & MRS-J BILATERAL SYMPOSIUM, Advanced Oxides and Wide Bandgap Semiconductors著者;　Makoto Kasuβ-Ga2O3結晶中の欠陥と電気的特性との関係;　2018年10月発表情報;　日本学術振興会145委員会第160回研究会、2018年10月19日、東京著者;　嘉数　誠Recent Progress of Diamond Devices for RF Applications;　2016年10月発表情報;　2016 IEEE Compound Semiconductor IC Symposium著者;　Makoto Kasu, Toshiyuki OishiDiamond Devices for RF Applications;　2016年08月発表情報;　2016 URSI Asia-Pacific Radio Science Conference著者;　Makoto Kasu, Toshiyuki OishiDiamond FETs for RF Power Electronics; Novel Hole Doping;　2016年03月発表情報;　8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016 / IC-PLANTS2016) March 6-10, 2016 Nagoya著者;　Makoto KasuダイヤモンドMOSFET界面研究の最近の進展;　2015年12月発表情報;　表面科学会学術講演会、2015年12月1～3日、つくば著者;　嘉数 誠Ultimate Wide-Gap Semiconductors:Diamond Power Devices and Aluminum Nitride Deep-Ultraviolet LEDs;　2015年09月発表情報;　Semicon Nano 2015, Hsinchu, Taiwan, Sep. 6-11,2015.著者;　Makoto KasuDiamond Transistors –Present Status and Future Prospects;　2015年06月発表情報;　Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2015著者;　Makoto KasuDiamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges;　2014年11月発表情報;　2014 MRS Fall Meeting, Nov. 30 – Dec. 5, 2014.Boston著者;　M. KasuDiamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges;　2014年10月発表情報;　9th European Microwave Integrated Circuits Conference (EUMIC 2014), Oct 6-7, 2014, Rome.著者;　M. Kasu, T. Oishiパワー半導体ダイヤモンド単結晶のシンクロトロンX線トポグラフィー観察;　2014年10月発表情報;　九州シンクトロン光研究センターＸ線トポグラフィー講習会、鳥栖、10月24日,　2014年著者;　嘉数　誠ダイヤモンドパワートランジスタ研究開発の最近の進展;　2014年09月発表情報;　日本学術振興会真空ナノエレクトロニクス第１５８委員会 第１０４回研究会, 京都、2014年9月24日著者;　嘉数　誠Diamond RF Power Transistors: Present Status and Challenges;　2014年08月発表情報;　15th IUMRS International Conference in Asia (IUMRS-ICA), Fukuoka, Aug. 24-30 , 2014.著者;　嘉数　誠ダイヤモンドパワーデバイス研究の現状;　2014年05月発表情報;　ワイドバンドギャップ半導体デバイスに関わる超精密加工プロセス研究分科会著者;　嘉数　誠ダイヤモンドパワー素子技術;　2014年05月発表情報;　第８回集積化MEMS技術研究会「次世代半導体技術」著者;　嘉数　誠 ダイヤモンドへのイオン注入　パワーデバイスを目指して;　2013年12月発表情報;　応用物理学会表面薄膜分科会研究会イオンビームによる界面表面解析特別研究会著者;　嘉数　誠 極限遠紫外線LED研究開発;　2013年02月発表情報;　九州産業技術センターセミナー著者;　嘉数誠 ワイドギャップ半導体の創製と光電子デバイスへの応用;　2012年12月発表情報;　応用物理学会九州支部大会著者;　嘉数　誠 半導体気相成長での過飽和度とステップフロー・核形成;　2012年09月発表情報;　結晶成長学会自由討論会著者;　嘉数誠 ダイヤモンドパワーデバイスの研究開発の現状;　2012年08月発表情報;　九州産業技術センターセミナー著者;　嘉数　誠 Single-crystalline nitride growth on diamond;　2012年05月発表情報;　New Diamond and Nano Carbons Conference 2012著者;　K. Hirama, M. Kasu, 「ダイヤモンドパワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開」;　2012年05月発表情報;　日本技術情報センター「早期実用化を目指す次世代パワーデバイスの開発・技術動向と応用及び今後の展開」セミナー著者;　嘉数誠 窒化物半導体/ダイヤモンド ヘテロ構造: 結晶成長とデバイス応用」;　2012年03月発表情報;　2012年春季応用物理学会、シンポジウム著者;　平間 一行, 谷保芳考, 嘉数　誠 気相成長表面における結晶成長機構;　2012年01月発表情報;　結晶成長研究会著者;　嘉数誠 ダイヤモンド・高周波電力デバイスの開発とマイクロ波・ミリ波帯電力増幅器への応用;　2011年10月発表情報;　SCOPE成果発表会著者;　嘉数誠 Diamond-based Electronic Device Technologies;　2011年10月発表情報;　著者;　嘉数誠、平間一行電子図書館佐賀大学総合情報基盤センターCopyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.